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基于硬磁薄膜材料的GMI传感器偏置磁场分布模拟 被引量:1
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作者 黎俊乔 晋芳 +1 位作者 周玲 彭景 《磁性材料及器件》 北大核心 2014年第4期20-23,27,共5页
由于GMI效应对磁场的对称性特点,在传感器设计中,通常采用引入偏置磁场的方法来提高GMI传感器的灵敏度。而采用硬磁薄膜材料作为GMI传感器的偏置磁场源,可在提供80~160A/m的偏置磁场的前提下,实现GMI传感器的低功耗和微型化。运用... 由于GMI效应对磁场的对称性特点,在传感器设计中,通常采用引入偏置磁场的方法来提高GMI传感器的灵敏度。而采用硬磁薄膜材料作为GMI传感器的偏置磁场源,可在提供80~160A/m的偏置磁场的前提下,实现GMI传感器的低功耗和微型化。运用COMSOL软件对薄膜材料的空间磁场分布进行了模拟,研究了薄膜材料特性及其尺寸对空间磁场分布的影响,并对影响有限元分析结果可靠性的因素进行了探讨。研究结果表明,硬磁薄膜材料的剩余磁化强度为0.3~0.7MA/m、长度为5~7mm、厚度为7~13μm时可以为GMI传感器敏感元件提供符合要求的偏置磁场源。 展开更多
关键词 GMI传感器 硬磁薄膜 偏置磁场 仿真
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