神经炎症在帕金森病中的作用及研究进展

帕金森病(Parkinson disease,PD)是全球第二大神经退行性疾病,病理本质是"黑质多巴胺能神经元选择性、进行性死亡",发病机制不清。研究发现神经炎症在PD病程中发挥重要作用,表现在:PD病人和动物模型中,黑质局部小胶质细胞、星形胶质细胞激活,血脑屏障受损及外周T淋巴细胞浸润。但PD中神经炎症发生的机制尚未阐明。本文将综述神经炎症在PD中的表现及发生机制的研究进展,从神经炎症的角度为PD防治的研究提供可能的思路。

脑血管意外患者在不同认知负荷下步态的改变及平衡策略研究

目的:研究老年脑血管意外(cerebrovascular accident,CVA)患者和健康老人在两种不同的"步行+认知"双重任务中,步行和认知任务之间的互相影响及双重任务消耗值,探讨两种人群注意力分配的优先规律及步态调整策略。方法:老年CVA患者和健康老人各30例,分别完成平地步行、连续减3、辨音应答和"步行+连续减3"(双重任务A)、"步行+辨音应答"(双重任务B),比较两者在双重任务中步态和认知任务的双重任务消耗值。结果:①在两种不同的双重任务下,CVA组仅步速和跨步长变小(P<0.01),步频未见明显改变(P>0.01),健康组步速、跨步长和步频均变小(P<0.01)。CVA组步速的双重任务消耗值(dual-task cost,DTC)与健康组相近(P>0.05),跨步长DTC则比健康组大(P<0.01)。两组受试在双重任务A中步行的DTC比在双重任务B中的大。②在双重任务下,不管认知负荷如何,两组受试均表现出认知表现准确率下降(P<0.01),组间没有显著性差异(P>0.05)。③在两种双重任务中,两组受试步速DTC较认知任务DTC大(P<0.01)。结论:①CVA患者步态控制比正常老年人更依赖于注意力的参与。认知任务对步行产生注意力抽离现象,认知任务负荷较重这种现象也较明显,而且在CVA患者中表现更为突出。②两组人群在双重任务中所采用的平衡策略不同,CVA组更倾向于通过减小跨步长来减慢速度,而健康组则倾向于通过减慢步频来减慢速度。③在双重任务中,健康老人和CVA老年患者均把注意力优先分配到认知任务上。

茉莉净油的化学成分及抗氧化活性分析

为研究茉莉净油的化学成分及其体外抗氧化活性,采用GC-MS法测定茉莉净油的化学成分,应用磷钼络合物法和邻二氮菲-Fe^2+法分别测定其体外总抗氧化活性及羟自由基清除率,并与常用抗氧化剂BHT做比较。结果显示,从茉莉净油中共分离得到148个峰,解析出87个峰,其中乙酸苄酯(16.56%)、芳樟醇(11.83%)、顺式-3-己烯醇苯甲酸酯(11.16%)、氨茴酸甲酯(9.48%)、乙酸芳樟酯(7.67%)、丙酸苄酯(6.70%)、苯甲醇(5.75%)、3,7,11-三甲基-1,3,6,10-十二碳-四烯(5.55%)、吲哚(4.07%)、诱虫烯(2.84%)等物质质量分数较高;茉莉的总抗氧化活性优于BHT,而羟自由基清除率略弱于BHT。

基于动态分级策略的改进正余弦算法

针对正余弦算法存在易陷入局部最优、求解精度不高、收敛速度较慢等问题,提出一种基于动态分级策略的改进正余弦算法。首先,引入拉丁超立方抽样法,将搜索空间均匀划分,使初始种群覆盖整个搜索空间,以保持初始种群的多样性。其次,采用动态分级策略,根据适应度值的排序情况,将种群动态划分为好中差3个等级,并应用破坏策略与精英引导方法对其进行扰动,以提高算法的收敛精度,增强跳出局部最优的能力。最后,引入反向学习方法,设计了动态反向学习全局搜索策略,以提高算法的收敛速度,同时对改进算法在复杂度、收敛性和稳定性方面进行性能测试,选取15个标准测试函数在低维和高维状态下进行仿真实验分析,并与粒子群算法、回溯搜索算法和其他改进正余弦算法进行比较。仿真分析结果表明,所提算法有效地提高了算法的收敛性和稳定性。

基于径向基组合近似模型技术的立柱结构优化设计

针对实际工程复杂优化问题,通常难以获得优化设计变量与优化目标之间的显示函数关系表达式,以SZJY-14型加工中心的立柱作为研究对象,研究了一种基于径向基组合近似模型技术的立柱结构优化设计。首先,针对径向基近似模型预测精度较低等问题,研究了一种基于多策略的径向基近似模型技术,并以改进径向基近似模型技术为基础,构建了组合近似模型技术。其次,利用有限元分析软件Abaqus对立柱三维结构进行网格划分,并对其进行静动态性能分析确定优化目标,采用灵敏度分析法确定优化设计变量,利用组合近似模型技术建立了立柱优化设计模型。最后,采用改进回溯搜索优化算法实现了立柱结构优化设计。求解结果表明,与立柱原结构相比,优化后质量减小了3.77%,最大变形量降低了5.14%,一阶频率提高了5.9%,达到了预期效果。

成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响

采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明:轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品。不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实。

高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究

研究了高介薄型陶瓷芯片电容的金属化和微小元件的精密切割工艺。分别采用TiW/Au层、TiW/Ni/Au层和TaN/TiW/Au层制备电极,并采用电容器绝缘电阻的偏压特性和温度特性、电容器电容量和介电损耗的温度特性表征了电容在电极金属化工艺中不同电极材料对高介薄型陶瓷电容器性能的影响,优选出了电极制备的膜系结构。通过选择刀具类型,优化切割固定方法,本工作有效规避了切割崩边和卷边问题,实现了微小元件的精密切割,成功制备出一种性能优异的高介薄型陶瓷芯片电容器。