大学物理中微积分思想和方法教学浅谈

分析了微积分思想和方法在大学物理教学中需要讲清的有关问题.

2.500V电子标准电池的设计

设计了用于"十—线电势差计测电池的电动势"实验的2.500 V电子标准电池,采用电压参考芯片MAX872,输出2.500 V(相对误差为0.05%)的标准电压ES,等效内阻约为1Ω,微功耗,不怕短路,不易损坏,2节干电池供电.配以J0409灵敏电流计进行实验,解决了目前常用仪器组合方案中的标准电池、灵敏电流计易于损坏,校准时灵敏度不够而测量时灵敏度过高的问题.

MAX5481在夫兰克-赫兹实验仪中的应用

提出了一种基于数字电位器MAX5481的夫兰克-赫兹实验仪设计方案;介绍了数字电位器MAX5481的接口、控制方式及应用方案。该方案为数字电位器在模拟电路中替代机械电位器提供了借鉴。

SF0020的以太网接入设计

SF0020是8-bit嵌入式网络单片机,它内含10/100M bps的MAC模块,提供IEEE802.3 MII界面,可与外部的Ethernet 物理层芯片DM9161直接连接,实现以太网接入。本文主要介绍了SF0020、DM9161芯片和它们的连接,以及基于TCP/IP协议的软件方案。

液晶模块的接口扩展

具有串行接口的外围器件使用时可简化系统结构,增加应用的灵活性。而大多数液晶模块一般采用并行数据总线接口,占用主控制器的I/O端口较多。文中以LCM320240ZK液晶模块为例,采用P89LPC932A1单片机对其进行控制,把它扩展成具有UART、I2C、SPI这3种串口的接口方式,从而使液晶器件的应用更加灵活、方便。

基于P89LPC932单片机的夫兰克-赫兹实验仪的设计

提出一种以单片机P89LPC932为核心的夫兰克-赫兹实验仪设计方案,采用12位A/D转换器件TLC2543进行数模转换,由运放OPA128组成的放大电路放大电流Ip,采用数字电位器MAX5481和DS1844产生变化的UG1K、UG2K、UG2P、UF电压,还配有64 K字节E2PROM和伪USB接口。该仪器具有手工操作、自动操作以及和计算机联机操作等功能。

基于P89LPC935的可燃性气体检测报警系统的设计

介绍了以TGS813为可燃性气体传感器,单片机P89LPC935为核心,配以放大、显示和报警等电路,构成一个可燃性气体检测报警系统.

简易可燃气体浓度测试仪设计

氧化锡气体传感器吸附可燃性气体可使其电导率发生变化,这种电导率的变化以输出电压的形式取样,就可检测出探测气体的类型和浓度。采用TGS813气体传感器,利用自制的气体浓度配制器得到不同浓度的不同气体,将传感器闭封于待测气体中由测试电路得到感器的响应特性和温度特性。依据传感器的响应特性设计合适的传感器调理电路,应用高性能单片机P89LPC938实现对可燃性气体浓度的测量和温度显示。

基于以太网的数据采集终端设计

具有以太网接口的数据采集终端是以太网数据采集系统的前端设备。采用嵌入式网络单片机来设计以太网接入的数据采集终端,具有结构简单、成本低、体积小、易于实现的特点。主要介绍了以8bit嵌入式网络单片机SF0020为核心,配置512KBytes程序和数据存储空间,通过与A/D转换芯片MAX1263和物理层收发器DM9161的连接,组成一款基于以太网的数据采集终端。它具有250Ksps的最高转换速度,12bit的分辨率和4个输入通道,可以在该数据采集终端基础上,方便地进行网络仪器仪表的开发。

双离子束溅射法制备SiO_xN_y薄膜的结构与发光

本文采用双离子束溅射沉积法制备了SiOxNy复合薄膜,XRD、TEM测试表明薄膜呈非晶态,FTIR及XPS测试表明薄膜成分由Si、O、N组成,在室温下可观察到样品有400 nm(紫光)、470 nm(蓝光)的光致发光。根据测试分析研究了SiOxNy薄膜的可能的发光机理:470 nm处发光峰为来自于硅基薄膜中中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由于氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致,其发光强度随退火温度的升高而变化,800℃时最大,高于800℃时慢慢减弱;400 nm发光峰的发射与薄膜中的Si、O、N所形成的结构有关,它可能来自于Si、O、N结构所形成的发光中心,该峰位的强度随退火温度的升高而增强。

多道时间谱仪测量光速

介绍了多道时间谱仪的时间幅度变换原理,描述了谱仪的调试和主要指标的测定,并应用多道时间谱仪测量了光速.

商品房质量通病原因分析及预防措施

建筑工程的质量通病,严重地影响到使用。本文列举几种常见的质量通病,本人通过工程实践和分析研究,提出预防的技术措施。

非晶SiO_x:C薄膜的发光特性研究

采用双离子束溅射法制备了SiOx:C非晶薄膜,在室温下可观察到薄膜样品有强的420nm(紫光)、470nm(蓝绿光)的光致发光(PL)。分别对样品在不同温度下退火后,PL测试显示随着退火温度的升高420nm处的峰带逐渐增强变为强的发光峰;470nm处的发光峰位来自于硅基薄膜中富硅引起的中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),是由与氧原子配位的二价硅的单态-单态之间的跃迁所致;420nm范围的峰带可能来自于薄膜中由C单质、以及Si、O、C三者组成的一个复杂结构。