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GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器
被引量:
6
1
作者
白元亮
张晓鹏
+1 位作者
陈凤霞
默立冬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期910-913,923,共5页
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了...
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。
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关键词
砷化镓
增强
耗尽型(E
D)
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
6
bit单片数控衰减器
正压控制电路
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职称材料
5.8GHz CMOS混频器设计
被引量:
3
2
作者
任怀龙
默立冬
+4 位作者
吴思汉
陈兴
冯威
廖斌
吴洪江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期257-260,共4页
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入...
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片。
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关键词
CMOS混频器
转换增益
线性度
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职称材料
7~13.5GHz单片低噪声放大器设计
被引量:
5
3
作者
朱思成
默立冬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期497-501,524,共6页
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7~13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加...
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7~13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7~13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。
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关键词
赝高电子迁移率晶体管
电子迁移率
晶体管(PHEMT)
低噪声放大器
负反馈
噪声系数
回波损耗
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职称材料
微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现
被引量:
2
4
作者
陈凤霞
默立冬
吴思汉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期164-166,共3页
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 ...
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。
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关键词
二分频器
异质结双极晶体管
锁存器
D触发器
阻抗匹配
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职称材料
频率测量单片集成电路的研究
被引量:
1
5
作者
任怀龙
陈兴
+2 位作者
默立冬
廖斌
吴洪江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期836-839,共4页
介绍了等精度测频的基本原理,以此为基础,设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0.18μm CMOS标准工艺线上完成了制作,封装于CQFP48中。经...
介绍了等精度测频的基本原理,以此为基础,设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0.18μm CMOS标准工艺线上完成了制作,封装于CQFP48中。经测试,测频范围可达40~1500MHz,测频误差小于0.8MHz,功耗小于100mw。
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关键词
频率测量
低功耗
单片电路
等精度测量
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职称材料
2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
6
作者
李远鹏
吴洪江
默立冬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期607-610,614,共5页
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采...
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性。采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8~1.8V电压内均可正常工作。芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA。
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关键词
射频标签
整流器
稳压源
限幅
ESD电路
静态工作电流
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职称材料
一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
7
作者
杜鹏搏
默立冬
+1 位作者
苏国东
蔡树军
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2020年第4期25-30,共6页
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为...
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为2.70 mm×2.90 mm。芯片测试结果表明,在42~46 GHz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%。
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关键词
GaN
HEMT
大信号模型
功率放大器
饱和输出功率
功率附加效率
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职称材料
基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO(英文)
8
作者
王绍东
高学邦
+2 位作者
吴洪江
王向玮
默立冬
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期63-68,共6页
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克...
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMTMMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.
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关键词
MMIC
宽带
VCO
KU波段
片外变容管
键合线电感
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职称材料
虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路
被引量:
3
9
作者
默立冬
陈凤霞
李远鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期510-514,共5页
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设...
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设计微波振荡器电路难以找到反馈通路的困难。利用该方法成功设计了采用HBT工艺制作的宽带VCO单片电路,验证了该方法的有效性。本方法对设计VCO电路有一定的参考价值。
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关键词
虚地
反馈
负阻
压控振荡器
S参数
振荡器稳定性
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职称材料
题名
GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器
被引量:
6
1
作者
白元亮
张晓鹏
陈凤霞
默立冬
机构
中国电子科技集团公司 第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第12期910-913,923,共5页
文摘
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。
关键词
砷化镓
增强
耗尽型(E
D)
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
6
bit单片数控衰减器
正压控制电路
Keywords
GaAs
enhancement/depletion (E/D)
Pseudomorphic high electron mobilitytransistor (PHEMT)
6 bit digital attenuator MMIC
positive voltage control circuit
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
5.8GHz CMOS混频器设计
被引量:
3
2
作者
任怀龙
默立冬
吴思汉
陈兴
冯威
廖斌
吴洪江
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
国防科技信息研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第3期257-260,共4页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(90307016)
国家预研项目(E0617010)
文摘
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片。
关键词
CMOS混频器
转换增益
线性度
Keywords
CMOS mixer
conversion gain
linearity
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
7~13.5GHz单片低噪声放大器设计
被引量:
5
3
作者
朱思成
默立冬
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第7期497-501,524,共6页
文摘
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7~13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7~13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。
关键词
赝高电子迁移率晶体管
电子迁移率
晶体管(PHEMT)
低噪声放大器
负反馈
噪声系数
回波损耗
Keywords
pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT)
low noise amplifier
negative feedback
noise figure
return loss
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现
被引量:
2
4
作者
陈凤霞
默立冬
吴思汉
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
国防科技信息研究中心
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期164-166,共3页
基金
国家自然科学基金重点资助项目(90307016)
预先研究项目(E0617010)
文摘
采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。
关键词
二分频器
异质结双极晶体管
锁存器
D触发器
阻抗匹配
Keywords
divider-by-2
HBT
flip-latch
D-trigger
impedance matching
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
频率测量单片集成电路的研究
被引量:
1
5
作者
任怀龙
陈兴
默立冬
廖斌
吴洪江
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第9期836-839,共4页
文摘
介绍了等精度测频的基本原理,以此为基础,设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0.18μm CMOS标准工艺线上完成了制作,封装于CQFP48中。经测试,测频范围可达40~1500MHz,测频误差小于0.8MHz,功耗小于100mw。
关键词
频率测量
低功耗
单片电路
等精度测量
Keywords
frequency measuring
low power
monolithic circuit
equal precision measuring
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
6
作者
李远鹏
吴洪江
默立冬
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期607-610,614,共5页
文摘
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性。采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8~1.8V电压内均可正常工作。芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA。
关键词
射频标签
整流器
稳压源
限幅
ESD电路
静态工作电流
Keywords
RFID
rectifier
regulator
amplitude-restrict
ESD protect circuit
static current
分类号
TN202 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
7
作者
杜鹏搏
默立冬
苏国东
蔡树军
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2020年第4期25-30,共6页
文摘
基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为2.70 mm×2.90 mm。芯片测试结果表明,在42~46 GHz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%。
关键词
GaN
HEMT
大信号模型
功率放大器
饱和输出功率
功率附加效率
Keywords
GaN HEMT
large signal model
power amplifier
saturated output power
power-added efficiency
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO(英文)
8
作者
王绍东
高学邦
吴洪江
王向玮
默立冬
机构
河北半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期63-68,共6页
文摘
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMTMMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.
关键词
MMIC
宽带
VCO
KU波段
片外变容管
键合线电感
Keywords
MMIC
wide-band
VCO
Ku band
off-chip varactor
bond-wire inductor
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路
被引量:
3
9
作者
默立冬
陈凤霞
李远鹏
机构
华北集成电路设计有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期510-514,共5页
文摘
给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设计微波振荡器电路难以找到反馈通路的困难。利用该方法成功设计了采用HBT工艺制作的宽带VCO单片电路,验证了该方法的有效性。本方法对设计VCO电路有一定的参考价值。
关键词
虚地
反馈
负阻
压控振荡器
S参数
振荡器稳定性
Keywords
virtual ground
feedback
negative resistance
VCO
S-parameters
oscillator stability
分类号
TN838 [电子电信—信息与通信工程]
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器
白元亮
张晓鹏
陈凤霞
默立冬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
6
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职称材料
2
5.8GHz CMOS混频器设计
任怀龙
默立冬
吴思汉
陈兴
冯威
廖斌
吴洪江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
3
7~13.5GHz单片低噪声放大器设计
朱思成
默立冬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
下载PDF
职称材料
4
微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现
陈凤霞
默立冬
吴思汉
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
5
频率测量单片集成电路的研究
任怀龙
陈兴
默立冬
廖斌
吴洪江
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
下载PDF
职称材料
6
2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制
李远鹏
吴洪江
默立冬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
7
一种42~46 GHz高效率功率放大器设计
杜鹏搏
默立冬
苏国东
蔡树军
《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》
2020
0
下载PDF
职称材料
8
基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO(英文)
王绍东
高学邦
吴洪江
王向玮
默立冬
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
9
虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路
默立冬
陈凤霞
李远鹏
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
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