GaAsE/DPHEMT正压驱动单片数控衰减器

采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原理,以及增强/耗尽型(E/D)PHEMT正压驱动电路原理。采用桥T型结构衰减电路单元、E/D PHEMT控制电路设计了数控衰减器单片电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺,流片制作了数控衰减器单片电路。测试结果表明,在DC^4 GHz带宽内,插入损耗L i≤2.9 dB,输入输出回波损耗L r≤-15 dB,衰减精度e bit≤±(0.4+3%×Att)dB(Att为衰减量)。电路具有衰减精度高、线性度好和芯片面积小等特点。内置的E/D PHEMT正压控制电路,可减小控制信号布线面积。采用单正压电源供电使电路更易使用。

5．8GHz CMOS混频器设计

介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片。

7～13.5GHz单片低噪声放大器设计

采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7～13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。

微波宽带单片集成电路二分频器的设计与实现

采用D触发器进行分频,设计了基于主从D触发器的1∶2分频器,该分频器主要由输入缓冲电路、分频器内核、输出缓冲电路和电流偏置电源四个模块组成。HBT工艺具有速度快、相位噪声低的优点,采用HBT工艺,成功地设计了输入频率范围为50 MHz^7 GHz的静态二分频器。测试结果表明,该分频器在输入频率为3.7 GHz,输入-20 dBm功率时,输出功率4 dBm;电源电压5 V,工作电流85 mA,芯片尺寸为0.85 mm×0.85 mm。

频率测量单片集成电路的研究

介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经测试，测频范围可达40～1500MHz，测频误差小于0．8MHz，功耗小于100mw。

2.45GHz电子射频标签模拟前端芯片的研制

分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC C1G2协议,提出半无源及有源电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、偏置单元、上电复位、解调、反向散射调制、振荡器等部分。采用多种方法,极大程度上实现了电路整体的低功耗,并且采取了限幅、ESD电路,保障了电路的稳定性。采用标准CMOS工艺,设计出了低功耗、低电压工作的2.45GHz射频模拟前端芯片电路,芯片在0.8～1.8V电压内均可正常工作。芯片的静态工作电流为2μA,芯片工作时,平均工作电流约为65μA。

一种42~46 GHz高效率功率放大器设计

基于GaN HEMT工艺,对HEMT器件大信号模型进行研究,并设计了一款工作频率范围为42~46 GHz的功率放大器芯片。电路采用三级级联放大,使用Wilkinson网络结构进行功率分配/合成,各级选取合适的栅宽以满足功率、效率和增益等指标。芯片尺寸为2.70 mm×2.90 mm。芯片测试结果表明,在42~46 GHz内,饱和输出功率大于41 dBm,功率增益大于18 dB,功率附加效率大于30%。

基于准MMIC技术的12～18GHz宽带VCO(英文)

提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMTMMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.

虚地反馈法设计GaAs HBT微波宽带VCO单片电路

给出了采用虚地和反馈等原理实现振荡器设计的方法,该方法改变了设计振荡器的传统观念,不同形式的振荡电路总是可以变成放大器和移相选频网络级联,后经反馈构成。并给出了完整的计算公式和设计过程,另外还对虚地法进行了改进,解决了设计微波振荡器电路难以找到反馈通路的困难。利用该方法成功设计了采用HBT工艺制作的宽带VCO单片电路,验证了该方法的有效性。本方法对设计VCO电路有一定的参考价值。