以纳米碳管为媒介生长的纳米石英晶须的微结构

应用电子显微技术，研究了以纳米碳管为媒介生长的SiO2晶须的形貌及其微结构特征，这些晶须为六角结构的。α-SiO2；直径为数十纳米，长度可达100μm以上，生长方向一般为[11-20]方向，且在校面方向上存在互成120°的面缺陷.

硼异质富勒烯制备过程中巴基管与巴基葱的异常生长行为

电弧法制备掺硼富勒烯过程中发现，与纯富勒烯相比，掺硼富勒烯烟灰的电导率提高一个数量级以上。电镜观察显示掺硼富勒烯烟灰中含有较多的巴基管和巴基葱，而阴极沉积物中则发现含有珠链状巴基葱。

巴基管嵌锂电极性能的研究

用化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备的巴基管作为锂离子电池的负极活性物质可以达到７００ｍＡｈ／ｇ的容量，远超过了石墨嵌锂化合物理论容量（３７２ｍＡｈ／ｇ）．ＣＶＤ巴基管电极经２０次充放电循环后，放电容量保持率为６５．３％．尽管ＣＶＤ巴基管电极初次充放电效率低（４２．６％），但经表面镀铜修饰后，初次充放电效率可提高到５５．９％．

纳米材料应用技术的新进展

纳米材料是具有多种优异性能的功能材料,有广阔的应用前景。本文对纳米材料应用技术的现状和最新的研究进展情况进行了综述。详细介绍了纳米材料在模具、锂离子二次电池、太阳能电池、功能涂层等方面的应用及研究情况,并对纳米材料应用技术的未来进行了展望。

一种生长巴基洋葱的新方法──射频CVD法

在用射频ＣＶＤ法沉积碳的实验中，发现有较多量碳巴基洋葱生成．电镜观察表明，该方法只生成碳巴基洋葱，并无碳纳米管等伴随生成，因而制得的巴基洋葱纯度较高。为制取纯净的碳巴基洋葱提供了一种可能的新途径．讨论了射频ＣＶＤ法中碳巴基洋葱的可能生长机理。认为在等离子作用下使甲烷的部分氢原子解离生成碳氢自由基，在催化剂的作用下，生成的碳烯为了消除碳悬键而卷曲，而碳氢自由基则在表面不断沉积生长而成碳巴基洋葱．

CVD金刚石厚膜刀具材料研究进展

本文对CVD金刚石厚膜刀具材料的制备技术及后加工工艺 。

C_(60)单晶生长的优化研究

用晶体生长动力学考察了籽晶法气相生长C60单晶体的生长工艺，得出关键在于处理成核与长大两个因素之间的矛盾。对管状炉的温度场进行了重新设计，将冷端的最低温度点移至合适部位，有效地控制了成核的数目。通过不断地优化实验，经选出恰当的冷、热端温度及生长周期，生长出的C6。单晶的最大钱度超过6mm，且有较高的结晶品质。同一单晶的劳厄像显示出C60的生长暴露面有（111）和（100）两种。

GaP(111)表面吸氧的AES及WF研究

用AES(俄歇电子谱)及Kelvin探头对Gap(111)表面吸氧进行了研究。发现在GaP(111)表面上有两种状态的氧存在:ⅰ)在氧暴露量小于1000L时,表面上主要是吸附状态的氧,使功函数(WF)增加;ⅱ)当氧的暴露量大于1000L后,表面发生氧化,功函减小,且有磷氧化物的升华。

铜蒸气激光诱导硅掺硼的实验研究

铜蒸气激光诱导硅掺硼的实验研究钱育军，潘佰良，姚志欣，齐仲甫（浙江大学物理系，杭州３１００２７）制作ＰＮ结的传统方法是扩散和离子注入法，但装置较复杂，处理步骤多，结厚，不易控制，无法重掺。而激光诱导可利用激光的能量高度集中特性，使半导体表面的极浅层迅...

纳米碳管的分叉结构

应用催化剂热解碳氢气及热丝ＣＶＤ两种不同的方法制备了含有分叉结构的纳米碳管，并用透射电镜考察了分叉碳管的形貌及微结构特征．结果表明：分叉结构的形态与制备方法有关，前者沿生长方向的呈规则节突状分布，而后者的分支碳管与未分支的形态类同．纳米碳管分叉结构的形成可能与制备条件的扰动有关。

在氢气氛围下利用电弧放电法大量制备纳米碳管的研究

利用以石墨为电极的直流电弧放电法 ,在氢气氛围下制备出了纳米碳管 .实验结果表明 ,在阴极上形成的碳素堆积物中 ,其前端表面及其内部都生成了纳米碳管 .经扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察分析发现 ,所生成的纳米碳管其形态构造在氢气的压强和直流电弧电流发生变化时 ,没有显著差异 .在氢气压强为 11999Pa ,直流电弧电流为 6 0A时 ,得到了大量的、管径较均匀、直而长的纳米碳管 .

C＿（60）单晶生长及特性的研究

用气相生长法生长了最大线度约为１．５ｍｍ的Ｃ＿（６０）单晶。单晶Ｘ射线衍射分析结果表明，该Ｃ＿（６０）单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１３ｎｍ，在２５１Ｋ附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明，Ｃ＿（６０）单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在２７４Ｋ附近激活能的变化，这可能是另一个相变的反映。