磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量

利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机，分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒（VOz）相变薄膜；并在20-80℃内往复变化时，利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明，两类样品均具有热敏相变特性；氧化法制备薄膜的电阻为9．96～0．06kΩ，相变温度约为30℃；还原法制备薄膜的电阻为80．3～7．4kΩ，相变温度约为52℃。

基于参数解调方法的ECT技术

电容层析成像技术(ECT)是过程层析成像(PT)中发展最为成熟的技术。该技术利用空间敏感电极阵列探测被测物场介质分布变化,通过数据采集单元提取有用信息并传输到上位机进行图像重建,再构物场介质分布图像。该技术具有非侵入、快速响应、成本低廉以及可视化等优点。其中,电容变化信息的提取以及数据采集是该技术的关键环节之一。本文采用一种新型信号解调方法参数解调,对被调制信号进行处理。该解调方法主要建立在延伸型普朗尼参数识别的基础上,可一次对多频率信号的幅值、相位进行解调,非常适用于多频激励系统的数据采集。仿真实验和图像重建表明,该方法具有计算量小、解调精度高等优点。