分立器件测试中的失效与预防措施

本文总结了分立器件的几种主要的失效模式和失效原因,着重提出了在测试中避免避免器件失效的若干措施。

利用测量不确定度的评定进行设备期间核查

本文举例说明了如何利用测量不确定度的评定进行设备期间核查。利用稳定三极管C945对测试设备BR3500进行了测量不确定度的评定,通过数据对比对测试设备进行了期间核查,结果显示设备测试能力正常。

Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究

采用磁控溅射法在Au／Si基片上制备了铌酸锌铋BZN（Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7）薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10^-3Pa条件下，BZN靶溅射0．5h，作为自缓冲层；然后在400℃下溅射1．5h，薄膜总厚度为200nm，650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向，结晶良好；AFM扫描显示表面平整；测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明，选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高，实验得到介电常数可调率约20％、损耗为0．002-0．004。

准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。

PbTiO_3铁电薄膜晶化工艺研究

对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化,研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响。研究表明,采用快速晶化工艺时,在550-750℃的较宽温度范围内,薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构,在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有(001)择优取向的PbTiO3薄膜。与常规晶化相比,快速晶化处理的薄膜结晶质量好,晶粒较小、分布均匀致密。

MCML结构高速数模转换器的设计

本文基于MCML结构,采用TSMC 0.18μm 1P6M CMOS标准工艺设计方法,通过模拟仿真试验,设计出了一个8位分段式全温度计编码的高速数模转换器,该电路在采样频率为1 GHZ,输入正弦波频率为122 MHz时,SFDR达到了58.35 d B,在采样频率为2 GHZ,输入正弦波频率为244 MHz时,SFDR达到了50.21 d B。

带使能端固定电压调整器测试原型的构建

通过分析固定电压调整器测试架构,以及影响测试的硬件、软件等因素,参照已有的三端固定电压调整器测试方案,构建了一个可复用的带使能端固定电压调整器测试原型,从而可以在实际应用中,采用原型匹配方法,达到快速开发测试程序的目的。

ST8105A实现AD688AQ测试

针对在数模混合测试仪器ST8105A上实现AD688测试的需要,通过对仪器的软硬件资源与器件测试需求的软硬件资源进行分析比对,将两者的资源进行匹配并进行合理的优化分配使用,利用已有的测试仪器的软件API对测试仪器硬件的控制测试,实现了AD688测试需要的适配器设计及软件编程,并完成测试,达到对测试仪器软硬件资源熟悉掌握并可熟练运用的目的。

高精度电压基准测试的问题及对策

介绍混合集成电路测试系统进行高精度电压基准器件测试相关内容,针对测试中的相关问题,分析问题产生原因,提出解决方法。通过分析及验证总结测试经验、方法并可以在其他类似的高精度测试中应用。

Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能

用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。

UHF RFID的现状及发展趋势研究

对UHF RFID在国际和国内的发展现状进行了介绍,通过对目前市场以及论文中最新的动态进行研究总结,对UHF RFID的发展趋势进行了展望。