高性能512×2元线列InGaAs短波红外探测器

针对色选行业对高均匀性、低暗电流、低盲元率的线列InGaAs短波红外探测器的迫切需求,本文基于MOCVD生长的n-i-n型InP/InGaAs/InP外延材料,采用扩散、钝化膜制备、电极生长等工艺,制备了512×2元线列InGaAs短波红外探测器。通过优化器件结构及钝化膜制备工艺,器件暗电流得到了有效的抑制;通过对倒装互联工艺参数进行优化,实现了高可靠性、高连通率的512×2元线列探测器的制备。室温下(25℃)对探测器组件进行测试,其峰值探测率为1.13×10^(12) cm×Hz^(1/2)/W,暗电流密度为12.8 nA/cm^(2),有效像元率≥99.5%,响应非均匀性低至0.63%。