4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真

4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。

双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究

提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMOS器件不仅具有较好的电学性能,而且可以采用SOI CMOS工艺制造。

一种自偏置预失真线性功率放大器

该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率下,1dB压缩点的输出功率为22.5dBm,此时的PAE是25.1%。

两个非线性偏微分方程的行波解

用最近提出的(G′/G)展开法,简单直接地求出了非线性对流-扩散方程和神经脉冲传播方程的含有两个任意参数的行波解。当参数取特殊值时,可得文献中的相应的特别结果。

一种新结构硅TPJBS二极管的器件与工艺仿真

为了满足电子与电气系统中较高反压快恢复二极管的应用需求,提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合二极管(TPJBS)新结构。对该TPJBS的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真试验、测试与优化,结果表明,与传统肖特基快恢复二极管(SBD)相比,经过优化的TPJBS器件的通态电流、导通电阻、通态压降等特性均有明显改善。其中,其反向泄漏电流密度降低了5~7个数量级,击穿电压则提高1倍多,更适用于需要较高反压快速恢复二极管的电子与电气系统的应用。为了验证该TPJBS的可制造性,采用半导体器件与工艺仿真软件TCAD对该TPJBS进行虚拟制造,结果表明,在目前的超薄片功率半导体工艺条件下,经过优化的TPJBS器件具有一定的可制造性。