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铟掺杂对氮化镓热导率的影响
1
作者
齐程东
《江西科学》
2022年第4期753-757,共5页
使用铟(In)掺杂氮化镓(GaN)可以调制其许多性质,从而使其广泛地应用于各种领域。在应用过程中,材料的热导率是至关重要的性质,直接关系到器件的稳定性,因此对In掺杂GaN的热导率进行研究是十分必要的。本文使用第一性原理方法求解玻尔兹...
使用铟(In)掺杂氮化镓(GaN)可以调制其许多性质,从而使其广泛地应用于各种领域。在应用过程中,材料的热导率是至关重要的性质,直接关系到器件的稳定性,因此对In掺杂GaN的热导率进行研究是十分必要的。本文使用第一性原理方法求解玻尔兹曼输运方程研究了In掺杂对GaN热导率的影响,结果表明掺入In之后,GaN的热导率明显降低,且其光学声子分支和声学声子分支对热导率的变化也发生了一定的改变。研究结果可以为GaN基半导体器件的设计提供理论指导。
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关键词
氮化镓
掺杂
热导率
声子
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题名
铟掺杂对氮化镓热导率的影响
1
作者
齐程东
机构
江西科技师范大学
出处
《江西科学》
2022年第4期753-757,共5页
基金
江西省自然科学基金项目(20202ACB202006)。
文摘
使用铟(In)掺杂氮化镓(GaN)可以调制其许多性质,从而使其广泛地应用于各种领域。在应用过程中,材料的热导率是至关重要的性质,直接关系到器件的稳定性,因此对In掺杂GaN的热导率进行研究是十分必要的。本文使用第一性原理方法求解玻尔兹曼输运方程研究了In掺杂对GaN热导率的影响,结果表明掺入In之后,GaN的热导率明显降低,且其光学声子分支和声学声子分支对热导率的变化也发生了一定的改变。研究结果可以为GaN基半导体器件的设计提供理论指导。
关键词
氮化镓
掺杂
热导率
声子
Keywords
gallium nitride
doping
thermal conductivity
phonon
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
铟掺杂对氮化镓热导率的影响
齐程东
《江西科学》
2022
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