期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
全离子注入技术在硅栅CMOS工艺中的应用
1
作者
齐隆
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第2期56-61,共6页
本文运用有关离子注入的原理和射程分布损伤机理等理论,结合作者所在工厂的硅栅CMOS工艺中应用全离子注入技术的实验数据及实践经验,对注入工艺参量与器件工艺参数的相关性及注入质量的控制等进行了探讨;就注入过程中的若干影响因素,寻...
本文运用有关离子注入的原理和射程分布损伤机理等理论,结合作者所在工厂的硅栅CMOS工艺中应用全离子注入技术的实验数据及实践经验,对注入工艺参量与器件工艺参数的相关性及注入质量的控制等进行了探讨;就注入过程中的若干影响因素,寻求到了有效的解决方法。此技术已用于作者所在厂的我厂门阵列产品的研制和生产中,取得了令人满意的结果。
展开更多
关键词
离子注入
CMOS
工艺
门阵列
下载PDF
职称材料
雄关漫道真如铁
2
作者
齐隆
谷青
《上海财税》
1996年第9期24-26,共3页
关键词
钢铁工业
上钢系统
钢材市场
二次化铁炼钢
技术改造
支柱产业
降低成本
产品成本
经济增长
真如
下载PDF
职称材料
题名
全离子注入技术在硅栅CMOS工艺中的应用
1
作者
齐隆
机构
四川仪表六厂
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第2期56-61,共6页
文摘
本文运用有关离子注入的原理和射程分布损伤机理等理论,结合作者所在工厂的硅栅CMOS工艺中应用全离子注入技术的实验数据及实践经验,对注入工艺参量与器件工艺参数的相关性及注入质量的控制等进行了探讨;就注入过程中的若干影响因素,寻求到了有效的解决方法。此技术已用于作者所在厂的我厂门阵列产品的研制和生产中,取得了令人满意的结果。
关键词
离子注入
CMOS
工艺
门阵列
Keywords
Ion implantation, CMOS process, Gate array
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
雄关漫道真如铁
2
作者
齐隆
谷青
出处
《上海财税》
1996年第9期24-26,共3页
关键词
钢铁工业
上钢系统
钢材市场
二次化铁炼钢
技术改造
支柱产业
降低成本
产品成本
经济增长
真如
分类号
F810.42 [经济管理—财政学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全离子注入技术在硅栅CMOS工艺中的应用
齐隆
《微电子学》
CAS
CSCD
1992
0
下载PDF
职称材料
2
雄关漫道真如铁
齐隆
谷青
《上海财税》
1996
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部