高速运算放大器新技术──电流反馈运算放大器

简述了高速运算放大器的进展，着重描述了８０年代末期基于互补双极工艺发展起来的电流反馈运算放大器的原理、特点、应用及制造工艺，分析了电流反馈运算放大器的小信号特性和大信号特性。

新型超高速运算放大器低失调型输入级

对于超高速集成运算放大器，如无特殊措施，无论是场效应型还是双极型超高速运放，原则上均不能同时获得低的失调电压和低的失调电流。各种旨在降低电路失调而对输入级所作的改进，大部分是针对双极型高速运放。但是这些改进措施要不是增大了工艺难度，就是改善了一个失调参数的同时又恶化了另一个失调参数。我们在分析了各种高速运放输入级输入失调的基础上，设计了一种新的低失调型双极输入级电路。理论分析及计算机电路模拟证实这种输入级电路的失调低于目前所见到的各种形式的输入级，且不增加工艺难度，是一种比较理想的高精度超高速集成运放输入级。

SB523宽带对数放大器

介绍了一种采用硅双极工艺制造的用于连续检波式对数放大器的单元电路。该电路由两级限幅放大器直流耦合、两级具有对数特性的负极性检波器并联组成，小信号电压增益为２４ｄＢ、动态范围为２４ｄＢ。四级该电路级联成的对数放大器，其动态范围可达８０ｄＢ。着重介绍了该单元电路的原理、制造工艺。

高频CB工艺与硅超高速集成运放

本文介绍了硅超高速集成运算放大器的电路设计、版图设计和工艺研究情况.

高性能纵向pnp晶体管的研制

pnp晶体管中由于空穴的迁移率较电子的迁移率低得多,再加上纵向pnp管有比npn管严重得多的基区宽度调变效应,一般情况下,难以使纵向pnp管的性能与npn管的性能相媲美。我们从理论上分析了提高纵向pnp管性能的途径,并设计了一套新的工艺流程。在p型外延材料上研制出了BV_(ceo)≥90V、V_(be)≤0.8V、f_T=900MHz、V_(ces)=0.2V、β=60～150、厄利电压大于150V的纵向pnp晶体管。在P型单晶材料上研制出了BV_(ceo)≥65V、f_T≥560MHz、β=60～150的纵向pnp晶体管。具有这种性能的纵向pnp管目前在国内外还很少见。