P型SnO TFTs制备及其电学性能研究

采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器件开关比可达到6.2×10~3,亚阈值摆幅为9.96 V·dec。通过延长退火时间至2 h,可以大幅提高线性区迁移率至1.61 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1),且亚阈值摆幅仅增大了0.54 V·dec。通过延长预溅射时间至8 min,可以大幅提高p型SnO薄膜晶体管的载流子迁移率,器件线性区迁移率为5.25 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1),饱和区迁移率为0.43 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)。

浅析创新中的实用新型专利保护

实用新型专利制度是中国专利制度的重要组成部分,在中国专利保护体系中发挥着独特的作用,促进了中国经济的发展和科技的进步。目前,企业对实用新型专利制度的认识还存在片面性,从专利申请量、专利权稳定性、专利诉讼情况以及专利运用等方面,通过数据对实用新型专利的保护状况进行分析,期许企业能够正确认识实用新型专利制度,充分发挥实用新型专利制度在创新中的重要作用。

同日申请发明和实用新型若干法律问题研究

《专利法》第九条的但书条款充分体现了我国专利制度的优越性,很好的维护了专利申请人和不特定公众的利益。文章从《专利法》第九条的规定展开,结合专利实务中的具体情形进行详细的梳理和分析,使法律在专利申请、代理以及审查过程中适用更加明确,从而为相关条款的完善提供参考。

铝锌锡氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

随着社会的不断发展,将透明的非晶氧化物半导体薄膜晶体管应用在显示技术行业成为人们关注的焦点,因此,人们对半导体薄膜晶体管电学性能的要求也日益提高。铝锌锡氧化物(AZTO)的化学成分中不含稀有有毒元素且成本低,被广泛用于半导体薄膜晶体管的研究。文章介绍了铝锌锡氧化物半导体薄膜晶体管(AZTO-TFT)电学性能的影响因素,如Al元素含量、退火温度和双沟道层结构,为今后改善AZTO-TFT的电学性能提供了有效方法,展望了今后的研究方向和应用前景。

关于误导消费者循环消费的法律思考

误导消费者行为是经营者向消费者传递真实但有误导性的信息,从而诱使消费者误认、误购以获取不当利益的行为。由于误导性行为隐蔽性强,不易受到法律规制,所以是一种经常被使用的不正当竞争手段。本文剖析当前误导消费者循环消费行为的不正当竞争性,提出制止误导消费者循环消费行为的法律对策。