铝掺杂氧化锌陶瓷的冷烧结制备及性能研究

采用两步冷烧结工艺(TS-CSP)在300℃超低温度下制备了高密度的铝掺杂氧化锌(AZO)陶瓷。采用XRD、密度测试仪、SEM、四探针测试系统等对AZO陶瓷的物相、相对密度、微观结构和电学性能进行了测试及表征。结果表明,Al掺杂量对AZO陶瓷的结构与性能有重要影响。当Al_(2)O_(3)掺杂量为2.0 wt.%时,可制备出无杂相、结构致密、电学性能良好的AZO陶瓷,经退火处理后其相对密度高达99.46%,电阻率低至3.43×10^(-3)Ω·cm。该方法制备的AZO陶瓷具有重要的应用前景。

BaTiO_(3)陶瓷的低温冷烧结制备及性能研究

近年来,冷烧结低温制备陶瓷引起了很大关注,并在BaTiO_(3)陶瓷的制备上取得了一定进展。为了提高冷烧结BaTiO_(3)陶瓷性能,本研究采用水热法制备了分散性好、粒径为100 nm的四方相(晶格参数c/a为1.0085)BaTiO_(3)粉末。采用0.1 mol/L的乙酸在100℃/1 h的条件下对粉末进行水热活化处理。以质量分数10%Ba(OH)_(2)·8H_(2)O为熔剂,在350 MPa、400℃/1 h的条件下对粉体进行冷烧结,最后经600℃/0.5 h退火获得了相对密度为96.62%、晶粒尺寸为180 nm,常温介电(ε_(r))为2836,介电损耗(tanδ)低至0.03的BaTiO_(3)陶瓷。乙酸处理后高活性粉末表面形成的非晶钛层有效促进了陶瓷的致密化,抑制了杂相的生成和晶粒长大,提高了介电性能,大幅改善了冷烧结BaTiO_(3)陶瓷出现的介电弥散现象,从而实现了BaTiO_(3)陶瓷的低温冷烧结制备。

大尺寸高密度ITO靶材烧结初期致密化过程研究

大尺寸高密度ITO靶材是我国当前的“卡脖子”技术,现有镀膜生产线对ITO靶材的相对密度要求达到99.7%以上,而ITO靶材在烧结初期的致密化过程对高密度ITO靶材的烧结至关重要。本研究着重对ITO靶材烧结初期的致密化过程进行了探讨,分析了喷雾造粒粉体的松装密度、生坯密度、烧结温度等对ITO靶材烧结初期致密化过程的影响。