200mm超薄硅片边缘抛光技术

在大尺寸硅片外延加工过程中,边缘损伤极易导致外延层位错的产生。厚度为450μm的超薄硅片因其机械强度较低,在边缘抛光过程中极易导致碎片产生。为此采用化学机械抛光(CMP)对8英寸(1英寸=2.54 cm)超薄硅片进行边缘抛光,通过优化工艺参数改善硅片边缘粗糙度及过抛量,并讨论了边缘抛光前后硅片倒角角度及边缘残余应力的变化。结果表明边缘抛光工序对硅片边缘去除量较小,且仅对边缘损伤层起到去除作用,因此可以有效降低硅片边缘残余应力,而对倒角角度影响较小,有助于获得边缘质量较好的硅片,为后续外延加工打下良好基础。

空间电池用锗抛光片的Marangoni干燥技术

作为空间化合物太阳电池的主要衬底材料,锗抛光片对表面质量要求较高。锗片干燥阶段,采用清洁、高效的Marangoni干燥技术可避免采用传统甩干技术造成的锗片表面沾污和边缘损伤。然而锗片在Marangoni干燥过程中易产生干燥缺陷。本文分析了干燥过程中缺陷产生的原因,研究了主要影响表面质量的提拉速率和氮气吹扫时间,认为锗片Marangoni干燥应采用较慢的提拉速率和适中的氮气吹扫时间,以减少表面和边缘干燥缺陷的产生。对经过Marangoni干燥的锗片进行表面雾值分析和外延生长验证,锗片经过Marangoni干燥表面未发生变化。实验结果表明,Marangoni干燥技术可用于干燥锗抛光片。

美的瞬间

那天,我和朋友在街上闲逛。信刚七的时代,娱乐项目不少,朋友一边刷着“某音”,一边激动地说:“哎呀,我家女神的动态刷新了!”还像打了鸡血一样兴奋地拽着我,让我看。“哎,不愧是我家女神,连回头都这么美!”说罢,不由分说把手机放在我面前,“你看看,是不是很漂亮?”我原本对这些事不感兴趣,懒得看,但奈何他几乎把手机贴在了我脸上,不看吧,又不太好意思,就瞄了二眼。