光沉积制备pSi@CoO_(x)高性能锂离子电池负极材料

选用微米级商业硅铝合金粉末作为原料,采用酸刻蚀、光沉积和后续的还原过程制备了 CoOx纳米片原位包覆的多孔硅复合材料。探究了不同光沉积时间对pSi@CoO_(x)材料形貌及其储锂性能的影响。CoOx纳米片的引入有效改善了材料的导电性并提高了材料的结构稳定性,即使在1 A·g^(-1)的电流密度下循环200圈后,pSi@CoO_(x)-5的比容量仍能保持774.2 mAh·g^(-1)。

HfB2液相有机前驱体的合成及其陶瓷化

以三氯化硼、氯化铵、异丙胺和三乙胺等为原料制得液相BN前驱体聚硼氮烷（PBN）为硼源,以HfC有机前驱体作铪源,通过液相途径合成HfB2有机前驱体,并通过前驱体裂解得到了HfB2陶瓷粉体。采用XRD、FTIR、SEM/EDS、TEM和SAED等分析测试手段对前驱体裂解产物组成、微观形貌和结构进行表征,讨论了硼源和铪源比例对HfB2有机前驱体合成的影响,并研究了HfB2有机前驱体的陶瓷化行为。研究结果表明：B/Hf摩尔比为6∶1时成功制备液相HfB2前驱体,该前驱体在1500℃时完全转化为HfB2陶瓷相,所得产物颗粒尺寸约为200 nm。上述HfB2陶瓷相的形成基于前驱体在低温段裂解形成的HfO2的硼热还原反应。

HfC前驱体的合成及其裂解行为研究

以Hf Cl_4、乙酰丙酮、无水甲醇、对苯二酚为原料,采用一锅法合成了Hf C陶瓷前驱体,通过前驱体裂解制备得到了Hf C陶瓷粉体。采用XRD、FTIR、SEM/EDS、TEM、SAED等分析手段对裂解产物的组成、形貌和微观结构进行了分析和表征,利用TG-DSC和TG-MS对前驱体的裂解行为进行了研究。结果表明:Hf C前驱体在600℃左右开始陶瓷化,在1300℃左右开始形成Hf C陶瓷相,在1500℃及以上完全转化为Hf C陶瓷及自由碳。Hf C陶瓷相具有单晶结构,颗粒粒径在50~100 nm之间。Hf C陶瓷相的形成基于前驱体在低温段裂解形成的Hf O_2的碳热还原反应,裂解过程中形成的自由碳抑制了Hf C晶体的生长。