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题名一种S频段GaN功率放大器的研制
被引量:7
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作者
崔浩
罗维玲
龚利鸣
胡文宽
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机构
中国空间技术研究院西安分院
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出处
《空间电子技术》
2013年第3期28-32,共5页
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文摘
氮化镓功率管的宽禁带、高击穿电场等特点,使其非常适合于宽带、高效率功率放大器的研制。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS软件进行了电路仿真设计,并制作了一种S频段GaN功率放大器。文章详述了电路仿真过程,并对设计的GaN功率放大器进行了测试,测试结果表明:设计的放大器在工作频段内输出功率大于41dBm,效率59.9%。
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关键词
GAN
仿真设计
宽禁带
半导体
功率放大器
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Keywords
GaN
Simulatin design
Wide bandgap
Semiconductor
Power amplifier
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分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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题名一种适用于无线能量传输的高效放大器
被引量:2
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作者
龚利鸣
董士伟
董亚洲
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机构
中国空间技术研究院西安分院空间微波技术实验室
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出处
《空间电子技术》
2013年第3期24-27,共4页
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文摘
为了提高无线能量传输(WPT)系统中功率放大器的工作效率,文章提出一种新型高效率逆F类功率放大器。通过理论分析说明了F类、逆F类功率放大器高效的原因在于谐波控制,而导通电阻的存在使得逆F类功率放大器效率高于F类放大器,然后阐述了逆F类功放的实现方法,最后采用GaN晶体管CGH40010F大信号模型仿真验证了逆F类功率放大器的高效率特性。
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关键词
无线能量传输
逆F类功率放大器
高效率
谐波控制
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Keywords
WPT
Inverse class-F power amplifier
High effciency
Harmonic control
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分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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