基于温度控制的MoS_2薄膜制备的探究

采用化学气相沉积法(CVD)制备高质量的纳米二硫化钼薄膜,并对纳米二硫化钼薄膜在形貌和尺寸调控方面开展了探究工作。实验研究表明:CVD制备的反应温度是影响二硫化钼合成的关键要素,利用CVD法调节反应温度可获得三角形和飞镖形两种形貌的二硫化钼薄膜,在不同反应温度下制备的三角形二硫化钼,其尺寸大小也不同。本文初步探究了反应温度与有效成核点数目的关系。研究成果对于大规模合成MoS2样品有一定指导意义。

基于化学气相沉积法的纳米二硫化钼研究进展

纳米二硫化钼(MoS_2)是一种典型的过渡金属硫化物材料,因具有层状二维结构,成为新型纳米材料的研究热点。本文对化学气相沉积法(CVD)制备单层二硫化钼结构进行介绍,综述了纳米二硫化钼的生长机理、合成纳米二硫化钼光电性质与层数的关系,并对比了化学气相法和剥离法生成的二硫化钼场效应管光电性质与层数的关系,阐述了单层二硫化钼场效应管的结构和电学特性。最后,对纳米二硫化钼的应用领域与研究趋势进行了展望。