离子注入装备发展趋势

简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。

Ni-Zn铁氧体烧结窑的研制

概述了Ni-Zn铁氧体烧结窑的结构,分析了升温区、恒温区和降温区的设计特点及其与产品烧结质量的关系,介绍了合理选择耐火保温材料和电热元件的原理和方法。

用于MEMS器件制造的深反应离子刻蚀设备

深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.

基于红外技术的气液两相流空隙率测量技术研究

气液两相流流型识别是气液两相流参数检测中需解决的关键技术之一。采用自主设计的气液两相流信号源发生装置,产生泡状流、弹状流及环状流等流型,满足气液两相流的标定需要。基于红外检测技术实现对气液两相流各种流型条件下截面空隙率的测量,并对采集数据处理求解实现流型识别。试验结果表明:红外检测技术能够实现气液两相流各种流型的识别,并测量出对应的空隙率,满足工程应用需要。

SiC外延炉加热系统的设计

碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。

基于网络的氮窑电气控制系统

介绍了一种基于网络的氮窑电气控制系统 ,该系统以可编程控制器 (PLC)为核心 ,通过 3条现场网络实现氮窑电气系统的分布式控制。即以CompoBus/S网络组成氮窑循环送料控制回路 ;以CompoBus/D网络组成氮窑温度检测回路 ;以RS - 485网络联结温度控制仪 ,实现PLC和温控仪的通信。此外 ,该系统面板指示灯回路的设计具有独特构思。这种以网络为基础的窑炉控制系统和传统的离散控制方式相比 ,在可靠性、通用性。

快速响应贵金属薄膜热电偶的研制

为满足高端武器装备壁面快速测温的需要,研制一种贵金属铂-铂铑快速响应薄膜热电偶。利用离子束溅射沉积钽过渡层、铂-铂铑敏感功能层和氧化铝保护层,以光刻掩膜形成热电偶图形,再采用铂浆烧结引线和釉料封接,制备出热电偶样件,最终对样件进行微观分析、静态标定和动态标定。实验结果表明热电偶的静态温度性能与标准R型热电偶测试曲线吻合度较高,薄膜热电偶的动态响应时间可达到50ms量级,薄膜热电偶在600~1200℃范围精度约0.9%。所研制的快速响应贵金属薄膜热电偶具有快速响应和高精度高温测试等特点,可解决武器装备壁面高温快速测量的问题。

氮化钽薄膜压力传感器研究

介绍了溅射薄膜压力传感器的技术要求、工作原理、结构设计、版图设计以及试验结果,并对研究过程中的关键技术及解决方法进行了探讨。传感器是依据溅射薄膜应变原理,选用圆平膜片感压膜片、17-4PH不锈钢作为弹性材料,采用机械研磨抛光技术制备压力传感器弹性体基底,利用直流离子束反应溅射及刻蚀技术制备了氮化钽薄膜压力传感器芯片。最后通过激光焊接、金丝球焊接等工艺封装芯片并对传感器的静态性能进行了标定。传感器具有非线性好、灵敏度高等特性。本文探讨了氮化钽薄膜压力传感器的制备方法,研究了不同热处理工艺下传感器性能的变化。

加强技术基础研究,提高自主创新能力 建设一流的有源层优化生长技术研究应用基地

有源层是半导体材料的核心功能层,直接影响各种大功率、高频、高速、高灵敏度、抗辐照、高可靠核心电子元器件的性能、功能、重量和体积,进而决定了武器装备系统的探测距离、精确打击精度、有效载荷、作战反应速度等性能指标。

油浸式变压器单氢健康监测系统设计

针对传统在线油色谱系统复杂、价格昂贵、体积大的缺点,基于薄膜氢气传感器技术设计了一套成本低、体积小、可靠性高的油浸式变压器单氢健康监测系统,该系统主要由薄膜氢气传感器、处理电路、数据传输三部分组成,处理电路配合氢气传感器通过温控、温度补偿、非线性补偿等相关算法实时获取油中氢气浓度信号,该氢气浓度信号通过Zigbee以及GPRS无线网络传输给远端网络服务器,用户通过Internet即可随时随地监测变压器健康状况。通过样机试验表明,该系统精度高、稳定性好,满足变压器健康监测的要求。

影响SiC外延生长速率的相关因素探讨

研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法。在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证。研究了生长温度、C/Si以及SiH_4流量对SiC外延生长速率的影响,通过主要参数的综合调整,生长出了表面光滑的SiC外延膜。

低能量发火Ni-Cr薄膜桥制备及性能分析

介绍一种低能量Ni-Cr薄膜桥发火件的设计结构参数和工艺,薄膜桥设计尺寸为90μm×10μm×5μm,电阻值为(4.3±0.4)Ω,典型发火能量为4.1V/84μJ。在同批768个产品中抽样480个进行发火试验,结果表明:98%的样品可在4.5V/100μJ能量下引燃,100%的样品可在4.8V1 15μJ能量下引燃。