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不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响
1
作者
张付强
陈启明
+7 位作者
龚艺豪
肖舒颜
张铮
马旭
赵树勇
郑宏超
张健鹏
郭刚
《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
2023年第6期108-113,共6页
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂...
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。
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关键词
静态随机存储器
总剂量效应
功耗电流
特征尺寸
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职称材料
题名
不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响
1
作者
张付强
陈启明
龚艺豪
肖舒颜
张铮
马旭
赵树勇
郑宏超
张健鹏
郭刚
机构
中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心
北京微电子技术研究所
出处
《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
2023年第6期108-113,共6页
文摘
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。
关键词
静态随机存储器
总剂量效应
功耗电流
特征尺寸
Keywords
Static random access memory
Total dose effect
Power supply current
Feature size
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响
张付强
陈启明
龚艺豪
肖舒颜
张铮
马旭
赵树勇
郑宏超
张健鹏
郭刚
《辐射研究与辐射工艺学报》
CAS
CSCD
2023
0
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