InSb—MIS器件中PECVD氮氧化硅栅介质膜的研究

——用PECVD技术在低温、低压和低功率密度条件下获得了优质氮氧化硅(Si_xO_yN_x)薄膜,并成功地应用于InSb-MIS单元器件的研制.X光电子能谱和红外光谱分析表明Si_xO_yN_z膜具有复杂的空间结构.

Hg_(1-x)Cd_xTe的过热电子效应

研究了组分x=0.18～0.50的N-Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.3～4.2K低温区和0～7T磁场强度下的过热电子效应,结果表明过热电子效应强烈依赖于样品的组份、电学参数以及材料的晶体质量。

N-InSb的杂质补偿度对其非线性电导的影响

在深低温强磁场条件下,对不同电学参数(掺杂量,补偿度等)的N-InSb材料的过热电子输运特性进行了系统研究,结果表明:高补偿材料能在较高电场区呈现出很强的非线性电导,对此,我们采用了二带导电模型进行了分析和讨论,提出了利用高补偿低浓度N-InSb材料来改善锑化铟远红外探测器性能的新方法,从而为锑化铟过热电子远红外探测器的选材提供了可靠依据.

InSb过热电子远红外探测器

指出采用低浓度高补偿N型InSb单晶材料是改善远红外探测器性能的有效途径。得到的最小的探测器噪声等效功率NEP为6.0×10^(-12)WHz^(-1/2)。通过改进探测器的腔体结构,成功地探测到耿氏振荡器产生的3.24mm辐射。

化学腐蚀和硫处理对InSb(111)表面的影响

本文应用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对化学腐蚀和硫处理的InSb表面进行了研究。实验中发现经过CP-4腐蚀以后在样品的表面生成了InSb的氧化层,氧化层中的组分是锑的氧化物明显多于铟的氧化物。样品经过硫处理以后能够除去InSb表面的氧化层并且形成硫化物钝化层。