氮化铝和莫来石陶瓷衬底的SIMS和XRD研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ） 和Ｘ 射线衍射（ＸＲＤ） 研究了用于电子封装的以Ｄｙ２Ｏ３ 、ＣａＯ 为添加剂的ＡｌＮ 和以堇青石、ＢａＣＯ３ 为添加剂的莫来石陶瓷衬底的物相组成和表面成分，尤其是表面杂质，并利用ＳＩＭＳ 尝试探讨了ＡｌＮ 表面热氧化问题。结果表明，ＡｌＮ 和莫来石陶瓷表面不同程度地存在Ｌｉ、Ｃ、Ｆ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｌ、Ｔｉ、Ｒｂ 等杂质元素的污染；ＡｌＮ 表面存在富Ｏ 层，在空气中经过８５０ ℃１０ 分钟退火后，富Ｏ 层明显展宽。