新一代3．3kV IGBT模块的开发

大功率应用需要具有低功耗、高可靠性的高压IGBT(HVIGBT)模块。然而这些特性通常是相互制约的,为达到均衡的性能,三菱电机开发出一种精细平面型MOS栅轻穿通HVIGBT(FP-LPT-HVIGBT)与具有高短路承受能力的软反向恢复高压二极管(SR-HVDi)组合的新型结构。采用这种新硅片组合的新一代3.3kV HVIGBT模块能在降低功率损耗的同时提高额定电流。