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射频集成电路中的基片噪声耦合
1
作者
a.赫尔米
Mohammed Ismail
胡光华
《国外科技新书评介》
2008年第10期12-13,共2页
集成电路(IC)中基片噪声耦合是由干扰信号形成的,这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动,并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。
关键词
射频集成电路
硅基片
声耦合
干扰信号
开关噪声
数字时钟
电流
寄生
原文传递
题名
射频集成电路中的基片噪声耦合
1
作者
a.赫尔米
Mohammed Ismail
胡光华
机构
Ohio State University
Analog VLSI Lab
原中国科学院物理学研究所
出处
《国外科技新书评介》
2008年第10期12-13,共2页
文摘
集成电路(IC)中基片噪声耦合是由干扰信号形成的,这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动,并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。
关键词
射频集成电路
硅基片
声耦合
干扰信号
开关噪声
数字时钟
电流
寄生
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
射频集成电路中的基片噪声耦合
a.赫尔米
Mohammed Ismail
胡光华
《国外科技新书评介》
2008
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