GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %～ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在高组分 ( x≥ 1.3%)下 ,NNi 对之间相互作用形成的与 N有关的杂质带导致了 Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低 .同时 ,在 x=0 .12 %的 Ga Nx P1 - x中 ,得到了清晰的 NN3 零声子线及其声子伴线 ,从而直接证实了 NN3具有与孤立 N中心完全相似的声子伴线 .