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GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱
1
作者
高玉琳
吕毅军
+4 位作者
郑健生
张勇
a. mascarenhas
辛火平
杜武青
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期476-480,共5页
通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %~ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %~ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在...
通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %~ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %~ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在高组分 ( x≥ 1.3%)下 ,NNi 对之间相互作用形成的与 N有关的杂质带导致了 Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低 .同时 ,在 x=0 .12 %的 Ga Nx P1 - x中 ,得到了清晰的 NN3 零声子线及其声子伴线 ,从而直接证实了 NN3具有与孤立 N中心完全相似的声子伴线 .
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关键词
GaP1-xNx混晶
光致发光谱
声子伴线
等电子陷阱
带隙弯曲
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职称材料
题名
GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱
1
作者
高玉琳
吕毅军
郑健生
张勇
a. mascarenhas
辛火平
杜武青
机构
厦门大学物理系
美国可再生能源实验室
美国加利弗尼亚大学电机工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期476-480,共5页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 76 0 0 2 )
福建省自然科学基金 (批准号 :A0 110 0 0 7)资助项目~~
文摘
通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %~ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %~ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在高组分 ( x≥ 1.3%)下 ,NNi 对之间相互作用形成的与 N有关的杂质带导致了 Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低 .同时 ,在 x=0 .12 %的 Ga Nx P1 - x中 ,得到了清晰的 NN3 零声子线及其声子伴线 ,从而直接证实了 NN3具有与孤立 N中心完全相似的声子伴线 .
关键词
GaP1-xNx混晶
光致发光谱
声子伴线
等电子陷阱
带隙弯曲
Keywords
GaPN alloy
isoelectronic trap
band-gap bowing
photoluminescence
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱
高玉琳
吕毅军
郑健生
张勇
a. mascarenhas
辛火平
杜武青
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
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