Electron field emission from nano-crystalline Si films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature

硅薄电影被诱导地联合的血浆 CVD 在房间温度扔。拉曼光谱和原子力量显微镜学被用来描绘样品的结构和地形学。在最佳血浆条件下面， nano-crystallineSi 电影与在表面上的随机的分布的高密度的 Si 尖端是成年的，这被显示出。高度和 Si 尖端的吝啬的基础直径分别地是 30-40 nm 和约 200 nm。有如此的表面地形学的电影被表明有电子领域排放的好行为。典型阀值地关于 7-10 V/mu m。