高压IGBT应用中用作过电压保护的开关自箝位模式“SSCM”

本文介绍高压SPT(软穿通)-IGBT器件的开关自箝位模式,并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。

具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组

本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。

具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组

本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。