In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱材料常温调制光谱中的允许跃迁和禁戒跃迁(英文)

用光调制透射和电调制透射两种方法研究了In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱中激子的带间跃迁,对晶格匹配的(x=0.53)或有应力的(x=0.6)宽阱材料(L_x=250(?))和窄阱材料(L_x=50(?))等四类样品的跃迁能量和展宽参数做了系统研究,实验结果与用一个有限高的方势阱模型的计算结果符合甚好.根据展宽参数与量子数n的关系,还估算出材料界面的不平整度δ_t(?)6.2(?).当对样品施加直流反偏压时,除允许跃迁外,还观察到激子的禁戒跃迁及其随电场增加的“红移”现象(QCSE效应),最大红移为20meV,所对应的场强为45kV/cm.

不对称的法布里—泊洛GaAs/GaAlAs光反射调制器——工作机理及发展趋势

本文介绍并讨论一种新型的光—电子器件—不对称的法布里—泊洛GaAs/GaAlAs多重量子阱光反射调制器.其工作原理是基于法布里—泊洛空腔的特性及量子阱中的QCSE效应,其工作状态有“常接通”和“常断开”两种模式.此外还介绍了在Si衬底上生长的此类器件的新进展.

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。与调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs系统相比,δ掺杂高电子迁移率晶体管系统载流子转移效串明显提高,但面载流子浓度对InGaAs阱的重整化效应和有效带隙的影响并不十分强烈。

调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱结构的光致发光谱研究

报道了调制掺杂的应变In_(0.60)Ga_(0.40)As/In_(0.52)Al_(0.48)As多量子阱中室温光致发光光谱.观察到n=1和2电子子带到n=1重空穴子带的强发光峰.在低温下可以观察到n=1电子子带到n=1轻空穴弱发光肩胛.通过对发光强度随激发功率及温度依赖关系以及理论模型的分析研究,认为该调制掺杂量子阱中辐射复合效率降低的主要机制是应变失配位错对载流子的陷阱作用.界面上的失配位错是陷阱的主要来源.并用静态的光致发光理论模型对实验结果进行了解释.

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AIGaAs/InGaAs/GaAs结构中的费密边奇异性研究

报道了δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al_(0.30)Ga_(0.70)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs的光致发光光谱研究的实验结果,除了观察到n=1电子子带到n=1重空穴子带,n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,还观察到了n=1电子子带到n=1轻空穴子带的弱发光峰,通过变化掺杂浓度来改变费密能级的位置,在这种δ掺杂的HEMTs系统中观察到了费密边奇异性,并把它归结为费密海与费密边附近未占据的第二电子子带之间的近共振散射作用所致。