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高压IGBT应用中用作过电压保护的开关自箝位模式“SSCM”
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作者 M.Rahimo A.Baschnagel +2 位作者 a.kopta E.Carroll 尤金霜 《电力电子》 2006年第3期50-55,共6页
本文介绍高压SPT(软穿通)-IGBT器件的开关自箝位模式,并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一... 本文介绍高压SPT(软穿通)-IGBT器件的开关自箝位模式,并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻找可靠、经济的应用IGBT的高压解决方案的系统设计者提供一个全新的前景。 展开更多
关键词 IGBT器件 过电压保护 高压 模式 箝位 开关 应用 保护特性 系统设计者 关断过程
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具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组 被引量:1
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作者 C.Corvasce a.kopta +5 位作者 M.Rahimo A.Baschnagel S.Geissmann R.Schnell 吴立成 周东海 《电力电子》 2011年第5期43-47,共5页
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保... 本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700V IGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。 展开更多
关键词 高温工作能力 二极管芯片 功率密度
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应用于工业牵引的软穿通IGBT技术的大功率模块
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作者 M.Rahimo a.kopta +4 位作者 R.Schnell U.Schlapbach R.Zehringer S.Linder 苑莉 《变频器世界》 2007年第10期58-61,57,共5页
随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值为2400A,封装形式为E1和E2工业标准模块。我们在长期高可... 随着1700V-SPT(软穿通)IGBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入,为了进一步开发利用新的1700V- SPT IGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值为2400A,封装形式为E1和E2工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上,设计了新的封装类型,其特性适用于牵引市场。在本文中,讨论了1700V-SPT IGBT(E1/E2)模块范围的特性,尤其论述了改进的静态和动态特性。 展开更多
关键词 IGBT技术 大功率模块 穿通 牵引 工业 应用 封装类型 动态特性
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工业牵引应用的采用软穿通IGBT技术的大功率模块
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作者 M.Rahimo a.kopta +4 位作者 R.Schnell U.Schlapbach R.Zehringer S.Linder 苑莉 《电力电子》 2007年第1期39-43,共5页
随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值为2400A,封装形式为"E1"和"E2"工业标准... 随着采用1700V-SPT(软穿通)IGBTLoPak密集型封装结构模块类型,和为了进一步开发利用新的1700V-SPTIGBT和二极管芯片的特性,出现了新的封装类型的模块:即电压1700V,电流额定值为2400A,封装形式为"E1"和"E2"工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上,设计了新的封装类型,其特性适用于牵引市场。在本文中,讨论了1700V-SPTIGBT(E1/E2)模块范围的特性,尤其论述了改进的静态和动态特性。 展开更多
关键词 IGBT技术 大功率模块 穿通 应用 牵引 工业 封装类型 动态特性
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具有高温工作能力的1700V SPT+IGBT和二极管芯片组
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作者 吴立成 周东海 +5 位作者 C.Corvasce a.kopta M.Rahimo A.Baschnagel S.Geissmann R.Schnell 《电源世界》 2012年第3期41-45,共5页
本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保... 本文介绍一种新研制的,具有优化高温工作能力的1700VIGBT和二极管芯片组。由于引入新的终端概念和硅设计,改进了ABB公司的最新一代平面栅1700V IGBT(SPT+)性能。通过局部质子寿命控制层的引入,150℃下二极管的漏电流已显著减小,同时保留了与先前SPT(软穿通)二极管工艺平台相同的电学特性。上述所有特征有望使额定值在3600A、工作在-40℃到150℃结温变化范围内的1700V模块研制成为可能。这种模块将具有低损耗和高安全工作区(SOA)。高于175℃工作温度方向的拓展,将在以后介绍。 展开更多
关键词 芯片组 高温 低损耗 高安全工作区
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