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外腔半导体激光器的单纵模机制
1
作者
廖江红
a.mohebati
T.A.King
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第9期641-645,共5页
本文建立了一种外腔半导体激光器单纵模机制的模相互作用模型。由于引入四波混频耦合项,模相互作用的效应对次级模的影响是对称的,均使次级模受到增益抑制。
关键词
半导体激光器
非线性光学
外腔
原文传递
题名
外腔半导体激光器的单纵模机制
1
作者
廖江红
a.mohebati
T.A.King
机构
中国科学院长春光机所应用光学国家重点实验室
英国曼彻斯特大学物理系
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第9期641-645,共5页
文摘
本文建立了一种外腔半导体激光器单纵模机制的模相互作用模型。由于引入四波混频耦合项,模相互作用的效应对次级模的影响是对称的,均使次级模受到增益抑制。
关键词
半导体激光器
非线性光学
外腔
Keywords
semiconductor diode laser, nonlinear optics
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外腔半导体激光器的单纵模机制
廖江红
a.mohebati
T.A.King
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
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