苏联离子注入机研制工作发展概况

1 前言 和一些发达的西方国家一样,苏联在离子注入半导体方面的研究工作也是起步于五十年代和六十年代初,最初进行这项科研的学科是半导体物理和固体原子碰撞物理。1952年列宁格勒技术物理研究所的M.M.Berdov观察到P型锗在受到Li^+离子辐照时其导电类型发生变化的现象。1961年库恰托夫原子能研究所离子轰击研究室的V.M.Gusev和M.I.Guseva用Ⅲ—Ⅴ族元素的离子辐照硅时获得了整流性能很好的p—n结。这些以及随后进行的一些研究工作证实了将离子注入到半导体器件的技术是可行的,这种新出现的技术提出了研制合适的工业用的离子注入设备的要求。