使用SiC的关键在于了解事实

最近,碳化硅(SiC)及其在电力电子领域的潜在应用受到了广泛关注,但同时也引发了一些误解。本文旨在澄清这些误解,让工程师们在未来放心地使用SiC器件。应用围绕SiC产生的一些疑虑与其应用范围相关。例如,一些设计人员认为SiC MOSFET应该用来替代IGBT,而硅MOSFET的替代品应该是氮化镓(GaN)器件。

为达独立式直流/直流转换器高功率密度拓朴选择扮要角

过去一些使用在高功率应用的拓朴,现在被应用在较低功率、高功率密度及小型架构解决方案上。DC/DC转换器拓朴的选择效率和密度（Watts/Volume）一直以来是独立式直流/直流功率转换器效能表现的衡量指标。当设计一个独立式直流/直流功率转换器时,首要而最关键的因素就是拓朴的选择。

频率抖动:性能优劣由您决定

本文针对满足电磁兼容性要求的功率转换器的设计挑战,提出了一个相对简单的解决方案,即采用频率抖动的电路,并具体分析了此方案的实用性。该方法可适用于3G技术应用。