CD-SEM如何与散射成像相互补充

自从散射成像技术开始应用于IC制造业后，就没有停止过与特征尺寸扫描电子显微镜（CD—SEM）之间的竞争，伴随着激烈的竞争，两项技术都不断地进行着改进（图1）。从半导体技术发展蓝图的角度来讲，这种竞争所产生的结果是正面的。现在，CD-SEM通过分析多条线，获取特征尺寸（CD）的信息；CD—SEM也正在朝着同时分析多条线的方向努力，而散射成像技术早已实现了这项功能。现在。

SEM还有未来吗?

不管如何强调CD-SEM在度量学上的重要性都是不为过的。然而,似乎目前的工具已经止步于1keV到数百电子伏特的运行能量,其原因是在该能量范围内可以获得最佳的束相互作用,同时还可将充电效应降至最低并可限制光刻胶收缩。

智能LED实现更好的照明和数据传输性能

Rensselaer Polytechnic Institute（RPI，纽约卅ITroy）的研究人员公布了他们在发光二极管（LED）上的研究进展，可以极大的提高LED的照明性能和能量效率。他们与三星电机（Samsung Electro—Mechanics，韩国水原市）合作开发了极化匹配LED，其照明输出提高了20％，同时表征LED转化效率的参数，电光转换效率提高了25％。

有机PV可实现更高效率

加拿大国家纳米研究中心(NINT,阿尔伯塔省Edmonton)以及阿尔伯塔大学(University of Alberta)的研究人员开发了一种新颖的方法,可以改进塑料太阳能电池(混合有机光伏)的性能。该项研究可以提高塑料太阳能电池板的效率,相对于硅基太阳能电池来说,是一种低成本的替代方案。

超越CMOS量测技术在持续发展

目前纳米器件被认为有可能替代常规半导体，其主要问题是它的接触问题。研究的材料和结构显然超出了CMOS范围，如果要继续满足对器件性能不断提高的要求，量测技术允许工程师观察和记录接触和分子之间（无论研究任何材料）的相互影响，这就将起重要作用，而且也是分析表征器件内部特性所必需的。例如的量测问题，以及最终将替代它们的那些器件的量测问题。

3D集成缺乏设计和测试支持

近日在加州Burlingame举行的“半导体集成和封装3D架构会议”上，来自北卡微电子咨询公司（MCNC）的咨询师PhilipGarrou重点介绍了该技术的起源和面临的挑战，并指出，在1980到2000年间微缩化的趋势已经开始转向3D架构。

纳米压印光刻在CMOS HDD中的快速发展

据Molecular Imprints公司的首席执行官Mark Melliar-Smith所言,纳米压印技术明年将稳步跨入硬盘制造舞台,在几年之后达到CMOS高密度存储器工艺的极限。Molecular Imprints公司是一家压印工具的开发商和制造商。

互连量测技术可稳定过渡到32纳米

当前的检测技术似乎能向更小节点推进,但仍需要开发出更稳定的建模方法,并对外形和界面进行高精度控制。由于某些量测工具已处于功能极限,因而需要发展新技术。

消除探针影响和其它测量问题

英特尔公司技术战略部门，材料研究组经理Michael Garner，在2007年国际纳电子表征与测量前沿会议（2007 International Conference on Frontiers of Characterization and Metrology for Nanoelectronics）上列举了在纳米科技时代测量技术需要克服的几个障碍。