光伏发电:五年内可与电网竞争

光伏产业将在不到五年的时间内——靠独立经济生存能力，而非政府的激励政策——达到同电网电价相同的价格。SEMI在加州Half Moon Bay召开的工业战略研讨会（ISS 2008）上发表了Stephen O＇Rourke作出的预测。他是在德意志银行证券（Deutsche Bank Securities，纽约）从事半导体资产设备和材料的高级分析师。

检测更小、更致命缺陷所面临的障碍

随着器件尺寸向22nm节点挺进,更小的缺陷造成的影响变得更为致命。为了检测它们,需要改进相关的设备和测量方法。

采用电子束检测技术辅助晶体管开发

涉足尖端技术研究工作的芯片制造商正在把无数新材料和奇特的器件结构结合起来，用于65nm及更低节点的量产。同时他们发现，在这些研究上的努力生产的结果还包括目前必须着手解决各器件各个层上出现的越来越多的细微的电缺陷和微小物理缺陷。在存储器中，可能会出现多晶硅阻塞管道问题poly-plug piping problems，从而引起BPSG（硼磷硅酸盐玻璃）孔隙问题。在逻辑领域，使用应变硅引起的应变硅位错可能产生缺陷，有时这类缺陷直到后道工艺才显露出来。

用“尺子”实现纳米精密光刻校准

计量校准总是由两部分组成：精密度和准确度。就如Sematech定义的，统计过程控制准确度是指测量值或观测值与实际值或公认参考值的接近程度，精密度是指反复测量的固有偏差的度量。很明显，出于校准目的，精密度总是比准确度更重要，特别是为了使各种平台测量之间的变化尽可能小时对设备的准确匹配。这样，就可以理解这些年来检测和工艺设备OEM对提高精密度的不懈努力。在CD-SEM设备领域尤其如此。同时，对先进的亚100nm技术节点来说，准确度在通常所指的“总计量不确定”中的作用越来越重要，通常结合设备和校准标准的不确定性一起来定义，使得标准更严格，不确定性极小。

采用叠层结构的有机太阳能电池

美国国家标准局（NIST，马里兰州Gaithersburg）最新的研究成果——一种新型的具有商业价值的太阳能电池——使太阳能电池更加接近于实际应用。NIST的科研人员对复杂的有机光电材料进行了深入的研究，这种新材料是有机光电器件的核心部分。

CNT研究指向高光伏效率电池和先进电子领域

研究结果证明，可以直接在碳纳米管（CNT）的生长过程中控制其结构。这提高了CNT的应用潜力，可以在能量损耗最小情况下，以更高速度并在更远距离内传输电学信号。这也提供了获得新电子器件的可能，例如高性能的精简计算机、具有超级电容的电极、燃料电池以及其他应用，同时也可以提高光伏电池等现有器件的性能。

光伏产能可能面临过剩

在2008IEEE Santa Clara Valley电子器件分会，应用材料公司技术论坛上，一位演讲者认为，随着欧洲补贴的取消，以及当前动荡的世界经济形势，目前对光伏的需求正处在一个很不明朗的状态，太阳能面板会面临过剩情况。

线宽量测从容面对32nm

尽管有迹象表明传统的测量设备已经达到了能力的极限,但是全新设计并具有更为复杂的计算模型的新一代测量技术将继续为包括工艺监控、技术检测、物理测量和电学测试在内的各种测试项目提供高精度、高重复性的技术支持。

IITC涵盖从等离子建模到铜封装技术

国际互连技术大会（IITC）在加州Burlingame召开,会上发表的论文广泛探讨了从建模挑战到原子层沉积和自对准阻挡层等主题。

SPM测出太阳能电池的杂质分布

光伏产业正在持续努力利用聚合体制作太阳能电池,因为聚合体不仅能够在室温下和普通环境条件中进行加工,而且可以应用比硅加工相对便宜的加工工艺,如各种印刷技术。不过,要尽可能获得最大的效率，仅获得化学品和这些不同材料的化学组分是不够的，在应用这些材料制作电池前，还应尽可能多地理解它们的微结构。

3-D分析进展满足器件要求

尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子，”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wilfried Vandervorst这样说。“随着平面器件逐渐被像finFET这样的3-D结构所取代，探测掺杂或载流子分布的方法变得非常必要。这些方法需要在灵敏、定量、精确、可重复和空间／深度分辨率多个方面，提供与目前1-D和2-D工具类似的能力。”

离子注入机失效检测新方法

随着器件线宽和层厚的缩小，离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时，特征尺寸的缩小和参数性能的要求，使关键注入参数的工艺窗口不断变窄，而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来，就使得通过测量平均偏差与标准偏差（SD，或分布展宽）来量化硅片上注入掺杂均匀性的传统方法，缺乏所需的统计信息来监测离子注入工艺。

业界对计量挑战达成共识

对于半导体产业的日新月异，我们早已司空见惯。而技术节点的更新换代也越来越快。没有哪个半导体生产部门比计量更能体现这一点。事实上，虽然那些推动我们加速前进的难题似乎需要进行工程开发而非R＆D来加以解决，但这丝毫不会降低其重要性。

晶圆边缘缺陷的系统探测与分类

边缘缺陷率已成为器件制造的重要问题，然而相当多的器件制造商认为．目前对晶圆边缘进行检测的能力还远远不够。虽然有些解决方案的表现还不错．但是它们似乎主要针对的是晶圆制造商，重点关注的是晶圆上的碎片和裂缝等物理损伤。

站在十字路口的美国计量技术

Herbert S．Bennett是美国国家标准与技术研究所（NIST）的院士和执行顾问。在众多业界同事的帮助下，他在对ITRS 2005进行分析的基础上总结了半导体产业测量技术的现状。在这些只代表他个人而不一定代表NIST的观点中．Benntt广泛讨论了半导体存储器，微处理器、信号处理器、RF与模拟／混合信号电路．逻辑器件和新兴器件与材料等各个领域。虽然Benntt只是对美国测量系统（USMS）进行了简要的描述，但他也注意到了半导体产业的下列发展趋势：

纳米技术有望跨越基本极限

传统的计量技术将继续用于测量尺寸不断缩小、结构日趋复杂的器件。然而在不远的将来．许多现有技术将因为不再满足质量控制和失效分析的要求而失去作用。工程师们再也不能想当然地认为，总存在必要的计量方法能够满足新器件结构的要求。美国Albany大学纳米科学与工程学院的副教授Robert GeerN前正在主持一个基于纳米力学的研究项目。

AFM技术能够实现量产中的缺角检测

当谈及“divot”时，多数人可能都会联想到当高尔夫球手的击球没有控制好时，杆头从草地上削去一块草皮而留下的洞。但是，对于器件制造商而言，这个词具有完全不同的含义。电路中，在有源区和被填充的隔离沟槽之间会出现一个divot（缺角）。在浅槽隔离（STI）工艺的化学机械抛光模块中，沿着SiO2／Si界面出现的机械应力通常会导致缺角的产生。

片内相位测量工具模拟光刻机

采用特殊照明方式的高／超高数值孔径（NA）的193nm光刻机和相位移掩膜版（PSM），使得光刻分辨率的极限达到了32nm节点。不利的因素是掩膜的复杂度正在以指数级递增，而业界又迫切需要通过精确的相位控制以达到必需的高成品率。

侧墙计量有望顺利迈入32nm节点

随着技术节点的进步，AFM．

氦离子显微镜对SEM的补充

由ALIS公司推出的氦离子显微镜（HIM）有望弥补传统扫描电子显微镜（SEM）的部分缺点。在普通的SEM中，探针尺寸主要受到两个条件的限制。其一是衍射，因为电子具有波动性，其德布罗意波长不为零。当电子流经一个狭缝时会发散开，从而使探针尺寸变大。较大的狭缝可以降低衍射效应，但却会导致色差的增大，这是另一种负面效应。