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降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩
1
作者
Frank Huang
anand chandrashekar
Michal Danek
《集成电路应用》
2009年第1期28-29,31,共3页
随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的电阻率要求。
关键词
低电阻率
金属化
钨
尺寸缩小
性能要求
扩展应用
填充技术
ALD
下载PDF
职称材料
题名
降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩
1
作者
Frank Huang
anand chandrashekar
Michal Danek
机构
Novellus Systems Inc.
出处
《集成电路应用》
2009年第1期28-29,31,共3页
文摘
随着特征尺寸缩小到32nm以下,传统的脉冲成核层(PNL)将无法满足所需的电阻率性能要求。钨成核和CVD填充技术的发展使得ALD钨可以被扩展应用到2Xnm尺寸,而且仍然能满足所需的电阻率要求。
关键词
低电阻率
金属化
钨
尺寸缩小
性能要求
扩展应用
填充技术
ALD
分类号
O614.613 [理学—无机化学]
P618.13 [天文地球—矿床学]
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作者
出处
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1
降低电阻率进一步实现钨金属化等比微缩
Frank Huang
anand chandrashekar
Michal Danek
《集成电路应用》
2009
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