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述评:金属等离子体浸没离子植入和沉积
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作者 anders,a 思虹 《国外核聚变与等离子体应用》 1999年第2期62-70,共9页
金属等离子体浸没离子植入和沉积(MePIIID)是一项将阴极电弧沉积和等离子体浸没离子植入结合起来的混合工艺。本文评述了由真空电弧产生的金属等离子体的性能,并讨论了MePIIID的结果。描述了各种类型的MePIIID... 金属等离子体浸没离子植入和沉积(MePIIID)是一项将阴极电弧沉积和等离子体浸没离子植入结合起来的混合工艺。本文评述了由真空电弧产生的金属等离子体的性能,并讨论了MePIIID的结果。描述了各种类型的MePIIID,并将它们与表面改性的传统方法如离子束辅助沉积(IBAD)作了比较。由于使用了各种离子粒种和能量,MePIIID是一项非常通用的方法。在一种极端情况下。 展开更多
关键词 离子植入 离子沉积 金属 等离子体 真空电弧
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