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45nm PCRAM对GST CMP的挑战和解决方法
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作者 Li Jiang Feng Chen +5 位作者 PuLei Zhu Mingqi Li Hongtao Liu Guanping Wu Ming Zhong aodong he 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期183-185,共3页
本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具... 本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具证明适用于GST CMP工艺的在线和离线监控。 展开更多
关键词 PCRAM 稀释比例 磨料 辅料 CMP 抛光垫 GST CMP 过抛光 抛光液 解决方法
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