双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管

设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 ,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响 .结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性 ,特别是在短波方向有高于 80 %的内量子效率 .这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时 ,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小 ,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性 ,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据 .

InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)

本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。