期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管
1
作者
李果华
孙艳宁
+2 位作者
严辉
aristo yulius
Jerry M Woodall
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期354-356,共3页
设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 ,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响 .结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性 ,特别是在短波方向有高于 80 %的内量子效率 .这说明在双梯度掺...
设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 ,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响 .结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性 ,特别是在短波方向有高于 80 %的内量子效率 .这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时 ,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小 ,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性 ,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据 .
展开更多
关键词
INP
漂移机制
光二极管
太阳电池
下载PDF
职称材料
InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
2
作者
李果华
孙艳宁
+2 位作者
aristo yulius
Christine C.Broadbridge
Jerry M.Woodall
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1022-1025,共4页
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级...
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。
展开更多
关键词
晶格失配
InP/GaP界面
缺陷
下载PDF
职称材料
题名
双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管
1
作者
李果华
孙艳宁
严辉
aristo yulius
Jerry M Woodall
机构
江南大学理学院光信息科学与技术系
耶鲁大学电子工程系
北京工业大学量子材料实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第2期354-356,共3页
文摘
设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管 ,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响 .结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性 ,特别是在短波方向有高于 80 %的内量子效率 .这说明在双梯度掺杂漂移机制结构中使用晶格不匹配的衬底时 ,外延晶体中所产生的缺陷对器件性能的影响较小 ,器件在有大量缺陷和复合中心存在的情况下仍然可以具有较好的光电特性 ,从而为在强辐射带轨道运行的航天器使用太阳电池以及InP/Si器件技术提供了很好的设计依据 .
关键词
INP
漂移机制
光二极管
太阳电池
Keywords
InP
drift dominated mechanism
photodiodes
solar cells
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
2
作者
李果华
孙艳宁
aristo yulius
Christine C.Broadbridge
Jerry M.Woodall
机构
江南大学理学院
Department of Electrical Engineering
Department of Physics
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期1022-1025,共4页
文摘
本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。
关键词
晶格失配
InP/GaP界面
缺陷
Keywords
lattice mismatch
InP/GaP interface
dislocations
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管
李果华
孙艳宁
严辉
aristo yulius
Jerry M Woodall
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
下载PDF
职称材料
2
InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
李果华
孙艳宁
aristo yulius
Christine C.Broadbridge
Jerry M.Woodall
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部