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沉积参数对CVD金刚石晶粒尺寸的影响 被引量：2
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作者 陈广超 兰昊 +9 位作者 李彬 戴风伟 askari J 黑立富 宋建华 李成名 唐伟忠 佟玉梅 吕反修 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期348-351,共4页
采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增加腔压会使晶粒尺寸变大,当CH4/H2超过15%后,有带刻面的晶粒出... 采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增加腔压会使晶粒尺寸变大,当CH4/H2超过15%后,有带刻面的晶粒出现.本次实验最大的晶粒对角线长度超过1mm. 展开更多
关键词 金刚石 晶粒尺寸 等离子体喷射CVD
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