2.5kA/1.2kV两单元IGBT模块

介绍一种工业用2.5kA/1.2kV两单元IGBT模块。在该大电流器件中,P端到N端的内部连线电感非常小。半导体硅片的巧妙布局有效地提高了模块的散热能力,采用铝底板直接连接绝缘基板来提高热循环能力。对于这种底板面积较大的器件,为了获得更好的底板和散热片之间的热接触,底板被分成几段。2.5kA/1.2kV两单元IGBT模块的封装同样适用于1.8kA/1.7V两单元IGBT模块。