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先进DRAM驱动高深宽比刻蚀的发展
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作者 S.Welch K.Keswick +6 位作者 P.Stout J.Kim W.Lee C.Ying K.Doan H.S.Kim b.pu 《集成电路应用》 2009年第5期29-32,共4页
DRAM器件制造商通过缩小设计规则、芯片尺寸来提高存储器性能和密度的方法,正面临着众多挑战。增大电容面积,使用更高介电常数的材料,以及减薄介电材料厚度等方法都能够继续延续电容的形式和功能。
关键词 DRAM 高深宽比 高介电常数 刻蚀 驱动 材料厚度 设计规则 芯片尺寸
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