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杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响(中) 被引量:1
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作者 JUN WANG +13 位作者 ALEX Q. HUANG WOONGJE SUNG YU LIU B. JAYANT baliga 张永鑫(译) 田书欣(译) 杨喜军(译) 姜建国(译) 《变频器世界》 2010年第5期22-23,共2页
15-kV SiC IGBT的设计与优化 图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^+衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P+发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层(场塞),厚5μm,掺杂浓度1×10^1... 15-kV SiC IGBT的设计与优化 图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^+衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P+发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层(场塞),厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。 展开更多
关键词 电网技术 电力应用 4H-SIC 智能 IGBT 掺杂浓度 外延层 N沟道
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