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外电场下极性量子阱中杂质态结合能(英文)
被引量:
3
1
作者
吴云峰
梁希侠
bajaj k k
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期285-292,共8页
我们用变分方法研究了外电场下量子阱中的杂质态结合能,计算中既考虑了电子同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用又考虑了杂质中心同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用。我们以GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱为例,讨论了结合能随杂质...
我们用变分方法研究了外电场下量子阱中的杂质态结合能,计算中既考虑了电子同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用又考虑了杂质中心同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用。我们以GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱为例,讨论了结合能随杂质位置、阱宽和电场强度的变化规律。得到了电子-声子相互作用对杂质态结合能和斯塔克效应的修正是相当明显的。
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关键词
施主杂质态
电子-声子相互作用
量子阱
斯塔克效应
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职称材料
题名
外电场下极性量子阱中杂质态结合能(英文)
被引量:
3
1
作者
吴云峰
梁希侠
bajaj k k
机构
大连民族学院理学院
内蒙古大学物理系
爱默瑞大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期285-292,共8页
基金
supported by Dalian Nationalities University Science Foundation for Youths(2007A210)
PhD Progress Foundation of Higher Education Institutions of China(20040126003)~~
文摘
我们用变分方法研究了外电场下量子阱中的杂质态结合能,计算中既考虑了电子同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用又考虑了杂质中心同体纵光学声子和界面光学声子的相互作用。我们以GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱为例,讨论了结合能随杂质位置、阱宽和电场强度的变化规律。得到了电子-声子相互作用对杂质态结合能和斯塔克效应的修正是相当明显的。
关键词
施主杂质态
电子-声子相互作用
量子阱
斯塔克效应
Keywords
donor impurity state
electron-phonon interaction
quantum well
Stark effect
分类号
O471.3 [理学—半导体物理]
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
外电场下极性量子阱中杂质态结合能(英文)
吴云峰
梁希侠
bajaj k k
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
3
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职称材料
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