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MOS—双极功率半导体工艺的评价
1
作者
bali.
,
bj
李文虎
《电子》
1992年第1期38-48,共11页
关键词
MOS
半导体
晶体管
双极型
功率
下载PDF
职称材料
MOS门发射极开关晶闸管
2
作者
bali.
,
bj
俞苹
《国外电力电子技术》
1990年第3期10-11,共2页
关键词
晶闸管
发射极开关
控制
MOS
下载PDF
职称材料
MOS耗尽型晶闸管—一种新型MOS控制的双极功率器件
3
作者
bali.
,
bj
陈力才
《国外电力电子技术》
1990年第2期1-3,共3页
关键词
MOS
耗尽型
晶闸管
双极功率器件
下载PDF
职称材料
智能功率技术综述
4
作者
bali.
,
bj
刘欣荣
《国外电力电子技术》
1992年第2期27-31,3,共6页
关键词
MOSFET
IGBT
智能功率技术
下载PDF
职称材料
题名
MOS—双极功率半导体工艺的评价
1
作者
bali.
,
bj
李文虎
出处
《电子》
1992年第1期38-48,共11页
关键词
MOS
半导体
晶体管
双极型
功率
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOS门发射极开关晶闸管
2
作者
bali.
,
bj
俞苹
出处
《国外电力电子技术》
1990年第3期10-11,共2页
关键词
晶闸管
发射极开关
控制
MOS
分类号
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
MOS耗尽型晶闸管—一种新型MOS控制的双极功率器件
3
作者
bali.
,
bj
陈力才
出处
《国外电力电子技术》
1990年第2期1-3,共3页
关键词
MOS
耗尽型
晶闸管
双极功率器件
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
智能功率技术综述
4
作者
bali.
,
bj
刘欣荣
出处
《国外电力电子技术》
1992年第2期27-31,3,共6页
关键词
MOSFET
IGBT
智能功率技术
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOS—双极功率半导体工艺的评价
bali.
,
bj
李文虎
《电子》
1992
0
下载PDF
职称材料
2
MOS门发射极开关晶闸管
bali.
,
bj
俞苹
《国外电力电子技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
3
MOS耗尽型晶闸管—一种新型MOS控制的双极功率器件
bali.
,
bj
陈力才
《国外电力电子技术》
1990
0
下载PDF
职称材料
4
智能功率技术综述
bali.
,
bj
刘欣荣
《国外电力电子技术》
1992
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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