在全视场步进扫描曝光机上进行193nm光刻

评价了先进的 1 93nm抗蚀剂材料在全视场步进扫描系统中的光刻性能。对单层和双层抗蚀剂进行了性能和复杂性的比较。通过对最佳照明条件 (NA ,σ)的研究 ,提出了一种增大工艺窗口和减少疏、密图形偏差的方法。移相掩模的应用证明了1 93nm光刻技术对 1 0 0nm工艺段的拓展能力。