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双弯管磁过滤阴极真空弧技术沉积超厚多层钛掺杂类金刚石膜 被引量:4
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作者 姜其立 王浩琦 +3 位作者 周晗 庞盼 刘建武 廖斌 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期53-60,共8页
极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多... 极端工况对关键部件涂层的性能要求较高,作为常用涂层,薄类金刚石(Diamond-like carbon,DLC)膜因其厚度的局限性已不能满足日益增长的性能需求,因此超厚DLC膜的制备工艺具有较大的现实意义。采用双弯管磁过滤阴极真空弧沉积技术制备多层Ti掺杂DLC膜,并通过显微维氏硬度计、摩擦磨损试验仪、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)等对膜的结构和性能进行表征。结果表明:薄膜的沉积速率最高可达0.40μm/min;随着沉积过程中C2H2流量的增加,Ti掺杂DLC膜中超硬Ti C相的相对含量降低,因此导致膜硬度降低,同时热稳定性变差;通过金属掺杂以及多层复合结构的方法能够有效制备低内应力的DLC膜,同时实现超厚DLC膜(最高可达42.3μm)的制备。 展开更多
关键词 超厚DLC膜 Ti掺杂 双弯管 磁过滤阴极真空弧沉积 C2H2
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Long range implantation by MEVVA metal ion source
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作者 ZHANG Tong-He WU Yu-Guang +2 位作者 MA Fu-Rong LIANG Hong (Key Laboratory in University for radiation Beam Technology and Material modification, Institute of Low Energy Nuclear Physics, beijing Normal University beijing radiation center, beijing 100875) 《Nuclear Science and Techniques》 SCIE CAS CSCD 2001年第1期16-20,共5页
Metal vapor vacuum arc (MEVVA) source ion implantation is a new technology used for achieving long range ion impantation.It is very important for research and application of the ion beammodification of materials. The ... Metal vapor vacuum arc (MEVVA) source ion implantation is a new technology used for achieving long range ion impantation.It is very important for research and application of the ion beammodification of materials. The results showthat the implanted atom diffusion coefficient increases in Mo implanted Al with high ion flux andhigh dose. The implanted depth is 311.6 times greater than that ofthe corresponding ion range. The ionspecies, doses and ion fluxes play an important part in the long-range implantation. Especially,thermal atom chemistry have specific effect on the long-range implantation during high ion fluximplantation at transient high target temperature. 展开更多
关键词 MEVVA离子源 离子移植 扩散技术
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