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现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
1
作者
bernhard strzalkowski
《电子产品世界》
2019年第5期31-35,共5页
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
关键词
IGBT
MOSFET
栅极驱动器
耐受性
隔离
下载PDF
职称材料
题名
现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
1
作者
bernhard strzalkowski
机构
ADI公司
出处
《电子产品世界》
2019年第5期31-35,共5页
文摘
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
关键词
IGBT
MOSFET
栅极驱动器
耐受性
隔离
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
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1
现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
bernhard strzalkowski
《电子产品世界》
2019
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