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栅控二极管R—G电流法表征SOI—MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析
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作者 何进 bich-yen Nguyen 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1292-1297,共6页
通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律。结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器... 通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律。结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而导。为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中。 展开更多
关键词 R-G电流 栅控二极管 界面陷阱 SOI MOSFET器件 敏感性 场效应晶体管
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