栅控二极管R—G电流法表征SOI—MOS器件埋氧层界面陷阱的敏感性分析

通过数值模拟手段，用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R－G电流大小的影响规律。结果表明：无论在FD还是在PD SOI MOS器件中，界面陷阱密度是决定R－G电流峰值的主要因素，硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而导。为了精确地用R－G电流峰值确定界面陷阱的大小，器件参数的影响也必须包括在模型之中。