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特定应用MOSFET取代旧式功率元件效率更高
1
作者
Sampat Shekhawat
Bob Brockway
bong joo choi
《中国电子商情》
2012年第12期35-40,共6页
金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)正经历重大改变。业界采取两种截然不同的方法来达到更高效能,首先是经由改善硅材料和制程技术,以克服现有产品的限制,另一种方法则是开发更好的元件封装方式。
关键词
元件
效率
功率
应用
特定
金属氧化物
晶体管
半导体
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题名
特定应用MOSFET取代旧式功率元件效率更高
1
作者
Sampat Shekhawat
Bob Brockway
bong joo choi
机构
飞兆半导体公司
出处
《中国电子商情》
2012年第12期35-40,共6页
文摘
金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)正经历重大改变。业界采取两种截然不同的方法来达到更高效能,首先是经由改善硅材料和制程技术,以克服现有产品的限制,另一种方法则是开发更好的元件封装方式。
关键词
元件
效率
功率
应用
特定
金属氧化物
晶体管
半导体
分类号
TN949.7 [电子电信—信号与信息处理]
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题名
作者
出处
发文年
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1
特定应用MOSFET取代旧式功率元件效率更高
Sampat Shekhawat
Bob Brockway
bong joo choi
《中国电子商情》
2012
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