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用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜
被引量:
7
1
作者
张德恒
brod.
,
de
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第10期779-782,共4页
用射频偏压溅射在较高氧压下沉积的六角密排结构的C轴平行于衬底的混合晶向结构的多晶ZnO薄膜,对紫外光的照射有较快的光响应.在此ZnO膜上再沉积层氮掺杂的ZnO膜,可使其光响应得以大大改善.
关键词
氧化锌薄膜
射频偏压溅射
紧外光响应
下载PDF
职称材料
在真空蒸发淀积a—Si及其化合物薄膜中离子轰击的作用
2
作者
张仕国
brod.
,
de
《薄膜科学与技术》
1995年第2期97-103,共7页
关键词
真空蒸发
离子轰击
硅薄膜
化合物薄膜
薄膜
下载PDF
职称材料
题名
用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜
被引量:
7
1
作者
张德恒
brod.
,
de
机构
山东大学电子工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第10期779-782,共4页
文摘
用射频偏压溅射在较高氧压下沉积的六角密排结构的C轴平行于衬底的混合晶向结构的多晶ZnO薄膜,对紫外光的照射有较快的光响应.在此ZnO膜上再沉积层氮掺杂的ZnO膜,可使其光响应得以大大改善.
关键词
氧化锌薄膜
射频偏压溅射
紧外光响应
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
在真空蒸发淀积a—Si及其化合物薄膜中离子轰击的作用
2
作者
张仕国
brod.
,
de
出处
《薄膜科学与技术》
1995年第2期97-103,共7页
关键词
真空蒸发
离子轰击
硅薄膜
化合物薄膜
薄膜
分类号
TN304.120 [电子电信—物理电子学]
TN304.205 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
用射频偏压溅射制备的具有快速紫外光响应的ZnO薄膜
张德恒
brod.
,
de
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
7
下载PDF
职称材料
2
在真空蒸发淀积a—Si及其化合物薄膜中离子轰击的作用
张仕国
brod.
,
de
《薄膜科学与技术》
1995
0
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